Министерство образования и науки Российской Федерации
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
сАНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
УТВЕРЖДАЮ
Сопредседатель Совета УМО вузов
по политехническому университетскому образованию
М. П. Федоров
(подпись) (ФИО)
"____" ________ 2010 г.
Примерная оСНОВНАЯ образовательная программА высшего профессионального образования
по направлению 223200 «Техническая физика»
утверждено приказом Минобрнауки России от 17 сентября 2009 г. № 337
Магистерская программа «Физика нанотехнологий и наноразмерных структур»
Квалификация выпускника магистр
Форма обучения очная.
Нормативный срок освоения программы 2 года
ФГОС ВПО утвержден приказом Минобрнауки России от 8.12.2009 г. N 703,
зарегистрирован в Министерстве юстиции РФ: № 16636 от 16.03.2010
Санкт-Петербург
2010
Содержание
Введение 4
1 Научные руководители магистерской программы 5
2 Требования к результатам освоения ООП 6
2.1 Общекультурные компетенции (ОК), которыми должен обладать выпускник 6
2.2 Профессиональные компетенции (ПК), которыми должен обладать выпускник 7
2.2.1 Общепрофессиональные 7
2.2.2 Научно-исследовательская деятельность 7
2.2.3 Производственно-технологическая деятельность 8
2.2.4 Проектно-конструкторская деятельность 8
2.2.5 Организационно-управленческая деятельность 8
2.2.6 Научно-педагогическая деятельность 8
2.2.7 Научно-инновационная деятельность 9
3 Учебный план 10
3.1 График учебного процесса 10
3.2 Рабочий учебный план 11
3.3 Контроль выполнения требований ФГОС ВПО 13
4 Учебно-методические комплексы дисциплин 15
4.1 Рабочая учебная программа дисциплины «Физические основы микро- и нанотехнологий» 15
4.2 Рабочая учебная программа дисциплины «Физика нанокомпозитных материалов» 25
4.3 Рабочая учебная программа дисциплины «Физико-химические аспекты наноструктурированных материалов» 34
4.4 Рабочая учебная программа дисциплины «Оптические и кинетические свойства полупроводниковых наноструктур» 44
4.5 Рабочая учебная программа дисциплины «Современные методы диагностики наноструктур. Теория синтеза электростатических энергоанализаторов» 53
4.6 Рабочая учебная программа дисциплины «Современные методы диагностики наноструктур. Неупругое рассеяние синхротронного излучения» 64
5 Рабочие учебные программы практик 71
5.1 Научно-производственная практика 71
5.2 Педагогическая практика 71
5.2.1 Методические рекомендации по организации практики 71
5.2.2 Рабочая учебная программа дисциплины 71
5.3 Научно-исследовательская практика 79
5.3.3 Рабочая учебная программа дисциплины 82
6 Методические рекомендации по выполнению научно-исследовательской работы 89
Приложения 96
Приложение А. Контрольно-измерительные материалы и методики их применения для текущего контроля успеваемости и промежуточной аттестации по дисциплинам 96
А.1 Дисциплина «Физические основы микро- и нанотехнологий» 96
А.1.1 Контрольные вопросы к итоговой аттестации 96
А.1.2 Контрольные вопросы к промежуточной аттестации 98
А.2 Дисциплина «Физика нанокомпозитных материалов» 106
А.2.1 Контрольные вопросы к итоговой аттестации 106
А.2.2 Тестовые задания 107
А.3 Дисциплина «Физико-химические аспекты наноструктурированных материалов» 108
А.3.1 Контрольные вопросы к итоговой аттестации 108
А.3.2 Контрольные вопросы к промежуточной аттестации 111
А.4 Дисциплина «Оптические и кинетические свойства полупроводниковых наноструктур» 118
А.4.1 Контрольные вопросы к итоговой аттестации 118
А.4.2 Контрольные вопросы к промежуточной аттестации 121
А.5 Дисциплина «Современные методы диагностики наноструктур» (дисциплины по выбору) 127
А.5.1 Теория синтеза электростатических энергоанализаторов 127
А.5.1.2 Контрольные вопросы к промежуточной аттестации 128
А.5.2 Неупругое рассеяние синхротронного излучения 131
А.5.2.1 Контрольные вопросы к итоговой аттестации 131
А.6 Научно-исследовательская практика 133
А.6.1 Тестовые задания 133
Введение
Примерная основная образовательная программа высшего профессионального образования (ПООП) по направлению подготовки магистров 223200 «Техническая физика» является системой учебно-методических документов, сформированной на основе федерального государственного образовательного стандарта (ФГОС ВПО) по данному направлению подготовки, и рекомендуется вузам для использования при разработке основных образовательных программ (ООП) магистратуры, включающих, согласно ФГОС ВПО, учебный план, рабочие программы учебных курсов, предметов, дисциплин (модулей) и другие материалы, обеспечивающие воспитание и качество подготовки обучающихся, а также программы практик и научно-исследовательской работы, итоговой государственной аттестации, календарный учебный график и методические материалы, обеспечивающие реализацию соответствующей образовательной технологии.
Профильная направленность ООП магистратуры определяется высшим учебным заведением, реализующим образовательную программу по соответствующему направлению подготовки. Образовательные учреждения самостоятельно разрабатывают и утверждают ООП магистратуры.
Представленный в качестве примера вариант ПООП разработан для одной из конкретных магистерских программ («Физика нанотехнологий и наноразмерных структур»), который реализуется на кафедре физической электроники радиофизического факультета ГОУ ВПО СПбГПУ.
1 Научные руководители магистерской программы
Фотиади Александр Эпаминондович, заведующий кафедрой физической электроники СПбГПУ, председатель УМС по направлению 223200 УМО по политехническому университетскому образованию, профессор СПбГПУ, доктор физико-математических наук (1991), заслуженный работник высшей школы.
Вахрушев Сергей Борисович, заведующий лабораторией нейтронных исследований ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, профессор СПбГПУ, доктор физико-математических наук (1998), представитель России в Европейской ассоциации рассеяния нейтронов.
2 Требования к результатам освоения ООП
В результате обучения по программе «Физика нанотехнологий и наноразмерных структур» у выпускника должны быть сформированы следующие компетенции, способствующие социальной мобильности, конкурентоспособности и устойчивости на отечественном и мировом рынке труда и позволяющие выполнять различные задачи, сформулированные работодателями.
2.1 Общекультурные компетенции (ОК), которыми должен обладать выпускник
- способность совершенствовать и развивать свой интеллектуальный и общекультурный уровень, добиваться нравственного и физического совершенствования своей личности;
- способность к самостоятельному обучению новым методам исследования, пополнению своих знаний в области современных проблем технической физики и смежных наук, готовность к изменению научного и научно-производственного профиля своей профессиональной деятельности, к изменению социокультурных и социальных условий деятельности;
- готовность к активному общению в научной, производственной и социально-общественной сферах деятельности; способность свободно пользоваться русским и иностранным языками как средством делового общения;
- способность использовать на практике навыки и умения в организации научно-исследовательских и научно-производственных работ, в управлении коллективом, готовность оценивать качество результатов деятельности;
- способность проявлять инициативу, в том числе в ситуациях риска, брать на себя всю полноту ответственности;
- способность самостоятельно приобретать с помощью информационных технологий и использовать в практической деятельности новые знания и умения, в том числе в новых областях знаний, непосредственно не связанных со сферой деятельности, расширять и углублять свое научное мировоззрение.
2.2 Профессиональные компетенции (ПК), которыми должен обладать выпускник
2.2.1 Общепрофессиональные
- способность к профессиональной эксплуатации современного научного и технологического оборудования и приборов (в соответствии с целями ООП «Физика нанотехнологий и наноразмерных структур»);
- способность демонстрировать и использовать углубленные теоретические и практические знания фундаментальных и прикладных наук, в том числе и тех, которые находятся на передовом рубеже физики нанотехнологий и наноразмерных структур;
- способность демонстрировать навыки работы в научном коллективе, готовность генерировать, оценивать и использовать новые идеи (креативность), способность находить творческие, нестандартные решения профессиональных и социальных задач;
- способность вскрыть физическую, естественнонаучную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, провести их качественный и количественный анализ;
- способность осуществлять научный поиск и разработку новых перспективных подходов и методов к решению профессиональных задач, готовность к профессиональному росту, к активному участию в научной и инновационной деятельности, конференциях, выставках и презентациях.
2.2.2 Научно-исследовательская деятельность
- способность критически анализировать современные проблемы физики нанотехнологий и наноразмерных структур, ставить задачи и разрабатывать программу исследования, выбирать адекватные способы и методы решения экспериментальных и теоретических задач, интерпретировать, представлять и применять полученные результаты;
- способность самостоятельно выполнять физико-технические научные исследования для оптимизации параметров объектов и процессов с использованием стандартных и специально разработанных инструментальных и программных средств;
- готовность осваивать и применять современные физико-математические методы и методы искусственного интеллекта для решения профессиональных задач, составлять практические рекомендации по использованию полученных результатов;
- способность представлять результаты исследования в формах отчетов, рефератов, публикаций и презентаций.
2.2.3 Производственно-технологическая деятельность
- способность разрабатывать и оптимизировать современные наукоемкие технологии в области физики нанотехнологий и наноразмерных структур с учетом экономических и экологических требований;
- способность разрабатывать, проводить наладку и испытания и эксплуатировать наукоемкое технологическое и аналитическое оборудование;
- готовность решать прикладные инженерно-технические и технико-экономические задачи с помощью пакетов прикладных программ.
2.2.4 Проектно-конструкторская деятельность
- способность формулировать технические задания, разрабатывать и использовать средства автоматизации при проектировании и технологической подготовке производства, составлять необходимый комплект технической документации;
- готовность применять методы анализа вариантов проектных, конструкторских и технологических решений, разработки и поиска компромиссных решений.
2.2.5 Организационно-управленческая деятельность
- способность владеть приемами и методами работы с персоналом, методами оценки качества и результативности труда, способность оценивать затраты и результаты деятельности научно-производственного коллектива;
- способность находить оптимальные решения при создании продукции с учетом требований качества, стоимости, сроков исполнения, конкурентоспособности и безопасности жизнедеятельности;
- готовность управлять программами освоения новой продукции и технологии, разрабатывать эффективную стратегию.
2.2.6 Научно-педагогическая деятельность
- готовность принимать непосредственное участие в учебной и учебно-методической работе кафедр и других учебных подразделений по профилю направления, участвовать в разработке программ учебных дисциплин и курсов;
- способность проводить учебные занятия, лабораторные работы, обеспечивать практическую и научно-исследовательскую работу обучающихся;
- способность применять и разрабатывать новые образовательные технологии.
2.2.7 Научно-инновационная деятельность
- готовность и способность применять физические методы теоретического и экспериментального исследования, методы математического анализа и моделирования для постановки задач по развитию, внедрению и коммерциализации новых наукоемких технологий;
- способность разрабатывать планы и программы организации инновационной деятельности научно-производственного коллектива, осуществлять технико-экономическое обоснование инновационных проектов;
- готовность к участию в организации и проведении инновационного образовательного процесса;
- готовность к участию в разработке и реализации проектов по интеграции высшей школы, академической и отраслевой науки, промышленных организаций и предприятий малого и среднего бизнеса.
3 Учебный план
3.1 График учебного процесса
3.2 Рабочий учебный план
3.3 Контроль выполнения требований ФГОС ВПО
В данном разделе приводятся результаты контроля выполнения в разработанном учебном плане требований ФГОС к содержанию учебного процесса.
Таблица 3.3.1 – Трудоемкость циклов
| Циклы | Трудоемкость в зач. ед. | ||
| ФГОС ВПО | Учебный план | ||
| М.1. Общенаучный цикл | 30 – 35 | 30 | |
| Базовая часть | 5 - 10 | 5 | |
| Вариативная часть | - | 25 | |
| М.2. Профессиональный цикл | 20 – 25 | 25 | |
| Базовая часть | 5 – 10 | 10 | |
| Вариативная часть | - | 15 | |
| М.3. Практика и научно-исследовательская работа | 25 – 35 | 35 | |
| М.4. Итоговая государственная аттестация | 30 | 30 | |
| Общая трудоемкость ООП | 120 | 120 | |
Требования ФГОС выполнены.
Согласно ФГОС ВПО, удельный вес занятий, проводимых в интерактивных формах, определяется главной целью ООП, особенностью контингента обучающихся и содержанием конкретных дисциплин, и в целом в учебном процессе они должны составлять не менее 40 процентов аудиторных занятий.
Таблица 3.3.2 – Удельный вес интерактивных занятий
| Семинары: аудиторные занятия/общие аудиторные занятия | |
| Циклы | в акад. час. |
| М.1. Общенаучный цикл | 90/489=18% |
| Базовая часть | 0/85=0% |
| Вариативная часть | 90/412=22% |
| М.2. Профессиональный цикл | 189/395=48% |
| Базовая часть | 70/178=39% |
| Вариативная часть | 124/228=54% |
| В среднем по ООП | 276/884=32% |
Примечание: в таблице отражен объем только тех дисциплин, включенных в учебный план, занятия по которым полностью проводятся в интерактивной форме (семинарские занятия, деловой иностранный язык). Планируется в такой форме проводить и часть практических занятий по другим дисциплинам как базовой, так и вариативной части обоих циклов, что будет отражено в программах соответствующих дисциплин. Это позволит выполнить данное требование ФГОС.
Согласно ФГОС Занятия лекционного типа не могут составлять более 20 процентов аудиторных занятий.
Таблица 4.3.3 – Удельный вес лекционных занятий
| Лекции: аудиторные занятия/общие аудиторные занятия | |
| Циклы | в акад. час. |
| М.1. Общенаучный цикл | 374/500=75% |
| Базовая часть | 70/88=79% |
| Вариативная часть | 304/412=74% |
| М.2. Профессиональный цикл | 87/406=21% |
| Базовая часть | 0/170=0% |
| Вариативная часть | 87/228=38% |
| М.3. Практики и научно-исследовательская работа | 0/780=0% |
| В среднем по ООП | 461/2304=20% |
Требование выполнено
Согласно ФГОС ВПО при общем объеме учебной нагрузки 54 академических часа в неделю, «максимальный объем аудиторных учебных занятий в неделю при освоении ООП в очной форме составляет не менее 20 академических часов в среднем за весь период ООП».
В плане в каждом семестре суммарная трудоемкость составляет 54 часа в неделю, а аудиторная нагрузка – 32 часа. Требование выполнено.
Согласно ФГОС, ООП магистратуры высшего учебного заведения должна содержать дисциплины по выбору обучающихся в объеме не менее 30 процентов вариативной части обучения. В плане:
Таблица 4.3.4 – Удельный вес дисциплин по выбору
| Циклы | в зач. ед | в акад. час. |
| М.1. Общенаучный цикл | 10/30=33% | 334/878=38% |
| М.2. Профессиональный цикл | 3/25=12% | 103/869=12% |
| В среднем по ООП | 13/55=24% | 437/1747=25% |
Требование выполнено не полностью.
4 Учебно-методические комплексы дисциплин
Учебно-методические комплексы (УМК) дисциплин включают:
- рабочую учебную программу дисциплины;
- учебное пособие (Приложение Б);
- контрольно-измерительные материалы и методики их применения для текущего контроля успеваемости и промежуточной аттестации по дисциплине (Приложение А).
В настоящем разделе приводятся рабочие учебные программы основных дисциплин вариативной части ООП магистерской подготовки по программе «Физика нанотехнологий и наноразмерных структур».
4.1 Рабочая учебная программа дисциплины «Физические основы микро- и нанотехнологий»
Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 2 зач. ед. (90 часов)
1 Цели и задачи изучения дисциплины «Физические основы микро- и нанотехнологий»
Учебная дисциплина «Физические основы микро- и нанотехнологий»
относится к вариативной части общенаучного цикла дисциплин учебного плана подготовки магистров и имеет своей целью формирование у обучающихся перечисленных ниже компетенций, основанных на усвоении современных представлений о физических процессах и технологиях, лежащих в основе создания субмикронных структур микро-и наноэлектроники, в том числе углеродных наноструктур.
В результате изучения дисциплины студент должен:
Иметь компетенции:
Общекультурные и общепрофессиональные:
- способность самостоятельно пополнять свои знания в области современных проблем физики и технологии микро- и наноструктур кремниевой и углеродной электроники, в частности, субмикронных активных элементов ультрабольших интегральных схем;
- способность собирать, обрабатывать и интерпретировать необходимые данные для формирования суждений по возникающим научным проблемам;
- готовность генерировать, оценивать и использовать новые идеи;
- способность находить творческие, нестандартные решения профессиональных и социальных задач;
- способность вскрыть физическую, естественнонаучную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, провести их качественный и количественный анализ;
- способность осуществлять поддержку и развитие научных технологических инноваций;
- способность браться за новые области на основе самостоятельных занятий;
профессиональные:
- способность критически анализировать современные проблемы микро- и нанотехнологий в сфере наноэлектроники;
- ставить задачи и разрабатывать программу исследования, выбирать адекватные способы и методы решения экспериментальных и теоретических задач, интерпретировать, представлять и применять полученные результаты;
- способность самостоятельно выполнять физические и технологические научные исследования для оптимизации параметров пассивных и активных элементов и технологических процессов их создания с использованием стандартных и специально разработанных инструментальных и программных средств;
- готовность осваивать и применять современные физико-математические методы и методы искусственного интеллекта для решения профессиональных задач, составлять практические рекомендации по использованию полученных результатов, представлять результаты исследования в формах отчетов, рефератов, публикаций и презентаций.
Знать:
- физические процессы, лежащие в основе технологии создания современных активных и пассивных элементов ультрабольших интегральных схем;
- ко-химические процессы, их особенности для интегральных схем разных типов и других объектов наноэлектроники;
- электрические, магнитные, механические и оптические свойства углеродных наноструктрур и перспективы их использования в наноэлектронике.
Уметь:
- выполнять расчеты основных технологических процессов создания субмикронных элементов микро- и наноэлектроники;
- обоснованно выбирать технологические методы создания новых элементов и структур интегральных схем;
- использовать стандарты и другие нормативные документы при оценке контроля качества изделий;
- пользоваться общенаучной и специальной литературой.
Иметь навыки:
- по анализу разнообразных методик и технологических маршрутов создания структур ультрабольших интегральных схем для научно обоснованного выбора соответствующей технологии, наиболее подходящей для решения конкретной задачи;
- по исследованию нанообъектов современной микро- и наноэлектроники, новой элементной базы, углеродных наноматериалов с использованием сканирующего туннельного, атомно-силового и электронного просвечивающих микроскопов.
Сформировать профессионально-значимые качества личности:
- способность разрабатывать и оптимизировать современные наукоемкие технологии в различных областях технической физики с учетом экономических и экологических требований;
- готовность и способность применять физические и химические методы теоретического и экспериментального исследования, методы математического анализа и моделирования для постановки задач по развитию, внедрению и коммерциализации новых наукоемких технологий в области физических основ и процессов микро- и наноэлектроники.
2 Место дисциплины в рабочем учебном плане
Курс «Физические основы микро- и нанотехнологий» излагается во втором семестре. Знания, умения и навыки, полученные студентами при изучении таких курсов как «Материаловедение и технология конструкционных материалов», «Физика твердого тела и полупроводников», обеспечивают данную дисциплину. После ознакомления с курсом лекций студенты должны уметь квалифицированно подходить к постановке задач, выбору объектов исследования в связи с их строением и структурой при решении научных и научно-прикладных проблем, связанных с научно-исследовательской практикой, научно-исследовательской работой и подготовкой магистерской диссертации для итоговой государственной аттестации.
3 Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля
Форма обучения очная
Таблица 4.1.1 – Распределение объема дисциплины «Физические основы микро- и нанотехнологий» по видам учебных занятий и формы контроля
| Виды занятий и формы контроля | Трудоемкость изучения по семестрам |
| 2-й семестр | |
| 1 | 2 |
| Лекции, час / нед | 3 |
| Практические занятия, час / нед | 1 |
| Лабораторные занятия, час / нед | - |
| Самостоятельные занятия, час/нед | 1 |
| Курсовые проекты, шт / сем | - |
| Курсовые работы, шт / сем | 1 |
| Экзамены, шт / сем | 1 |
| Зачеты, шт / сем | - |
| Общая трудоемкость изучения дисциплины 90 часов (2 зач. ед.) | |
4 Содержание дисциплины
4.1 Разделы учебной дисциплины по рабочей программе и объемы по видам занятий
Таблица 4.1.2 – Разделы учебной дисциплины и виды занятий
| № | Разделы дисциплины по РПД | Объем занятий, час | При-ме чания | ||
| Л | ПЗ | С | |||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| 1 | Введение. Основные тенденции развития микро- и нанотехнологий в полупроводниковой электронике | 2 | - | - | |
| 2 | Эволюция полупроводниковой электроники. Одноэлектронные устройства | 2 | 2 | 2 | |
| 3 | Физические и схемотехнические ограничения на уменьшение размеров активных элементов и рост степени интеграции. | 4 | 2 | 1 | |
| 4 | Физико-химические основы планарной технологии | 4 | - | 2 | |
| 5 | Термическое окисление кремния | 6 | 2 | 1 | |
| 6 | Методы легирования | 6 | 2 | 1 | |
| 7 | Авто-и гетероэпитаксия | 2 | - | 1 | |
| 8 | Субмикронная литография и сухое травление | 6 | 2 | 2 | |
| 9 | Процессы металлизации интегральных схем | 4 | 2 | 1 | |
| 10 | Методы реализации СБИС на основе МДП-структур | 18 | 4 | 4 | |
| 11 | Углеродные наноструктуры в электронике. | 6 | - | 1 | |
| 12 | Перспективы графеновой электроники | 4 | 2 | 2 | |
| Общая трудоемкость: 90 час | 54 час | 18 час | 18 час / | ||
4.2 Содержание разделов дисциплины
4.2.1. Введение. Основные тенденции развития микро- и нанотехнологий в полупроводниковой электронике.
Предмет изучения. Основные понятия и терминология. Роль фундаментальных закономерностей, определяющих физико-химические особенности формирования микро- и наноразмерных структур, в развитии технологии и производстве. Экономические и технологические основы уменьшения размеров элементов электроники.
4.2.2. Эволюция полупроводниковой электроники. Одноэлектронные устройства.
Эволюция полупроводниковой электроники. Планарная технология и групповой метод. Приближения размеров твердотельных структур к нанометровой области и проявления квантовых свойства электрона. Одноэлектронное туннелирование в условиях кулоновской блокады. Реализация одноэлектронного транзистора в полупроводниковой, углеродной, молекулярной электронике.
Физические и схемотехнические ограничения на уменьшение размеров активных элементов и рост степени интеграции.
Технологические, схемотехнические и фундаментальные физические ограничения уменьшения размеров элементов интегральных схем. Фундаментальные физические ограничения на уменьшение размеров: существование минимального рабочего напряжения, статистические неопределенности параметров малых элементов, теплофизические характеристики, эффект туннелирования носителей тока, электромиграция.
Рост числа межсоединений и увеличение времени задержки распространения сигнала между элементами ИС.
4.2.4 Физико-химические основы планарной технологии.
Основные операции планарной технологии. Технологические маршруты производства различных типов интегральных схем. «Критические» операции, определяющие минимальные размеры элементов. Переход с наноразмерным элементам.
4.2.5 Термическое окисление кремния
Роль двуокиси кремния в технологии интегральных схем. Методы контролируемого формирования тонких и сверхтонких слоев SiO2. Сегрегация примесей при термическом окислении. Электрические свойства тонких пленок окисла. Проблемы формирования сверхтонких пленок.
4.2.6 Методы легирования.
Физические основы методов легирования в микро-и наноэлектронике. Ограничения методов термической диффузии. Ионное легирование. Моделирование процессов диффузии и ионного легирования. Образование и отжиг радиационных дефектов.
4.2.7 Авто-и гетероэпитаксия
Механизмы эпитаксиального роста тонких пленок. Автоэпитаксия кремния. Эпитаксия из газовой фазы. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Формирование наноразмерных структур. Гетероэпитаксия. Получения структур «кремний-на-диэлектрике».
Субмикронная литография и сухое травление.
Методы оптической, рентгеновской и электронной литографии. Предельная разрешаюшая способность оптической литографии. Оптические системы и источники излучения\ для фотолитографии. Оптическая литография в дальнем ультрафиолетовом диапазоне. Фотолитография с фазовым сдвигом. Органичения рентгенолитографии. Синхротронное рентгеновское излучение и его применение в рентгеновской литографии высокого разрешения. Ограничения метода электронной литографии. Эффект близости. Ионная литография.
Методы сухого травления. Анизотропия и селективность травления. Механизмы ионно-ускоряемого и ионно-возбуждаемого травления. Низкотемпературная газоразрядная плазма. Плазменное травление, ионное травление, реактивное ионное травление.
4.2.9 Процессы металлизации интегральных схем.
Процессы формирования межсоединений и их вклад в быстродействие интегральных схем. Требования к материалам для межсоединений. Физические и химические методы получения тонких пленок. Удельное сопротивление, контактное сопротивление различных материалов, применяемых в кремниевой технологии. Химическая и физическая адгезия. Эффект электромиграции. Стойкость к электромиграции. Недостатки алюминиевой металлизации. Силициды тугоплавких металлов. Системы металлизации на основе меди. Многоуровневая металлизация.
4.2.10 Методы реализации СБИС на основе МДП-структур.
Структура и параметры МДП-транзистора. Технология производства интегральных схем на МДП-транзисторах. МОП- транзистор с поликремниевым затвором. Принципы самосовмещения. Масштабирование МОП-транзистора. Предельные размеры МОП-транзистора. Структура и технологический маршрут субмикронного транзистора. Эффект короткого канала. КМОП-инвертор. Технологические проблемы создания КМОП-инвертора. Трехмерная интеграция. Структуры со слабо легированнами областями истока-стока. Структуры «кремний-на-диэлектрике» со сверхтонким слоем кремния. Структуры с двойным затвором. МДП-транзистор с вертикальным затвором.
4.2.11 Углеродные наноструктуры в электронике
Основные представления углеродных наноструктурах. Фуллерены, нанотрубки, графен, их физические свойства. Хиральность углеродных нанотрубок. Электронная структура, электронный спектр, проводимость углеродных нанотрубок. Дефекты нанотрубок. Методы получения и разделения полупроводниковых и металлических нанотрубок, структур на их основе. Полевой транзистор и одноэлектронный транзистор на нанотрубках. Запоминающие устройства на массивах нанотрубок. Электро-механические устройства.
4.2.12. Перспективы графеновой электроники
Методы получения графена. Зонная структура графена. Законы дисперсии в однослойных и двухслойных графеновых структурах. Проводимость графена. Транзисторные структуры на основе графена.
5. Лабораторный практикум
Не предусмотрен
6. Практические занятия
Таблица 5.1.3 – Перечень тем практических занятий
| № | Примерный перечень тем практических занятий | Раздел дисциплины | Объем, ч |
| 1 | 2 | 3 | 4 |
| 1 | Получение и параметры одноэлектронного транзистора. | Эволюция полупроводниковой электроники. Одноэлектронные устройства | 2 |
| 2 | Масштабирование транзисторов. Принцип постоянства поля. Теплофизические и статистические ограничения. Туннелирование. | Физические и схемотехнические ограничения на уменьшение размеров активных элементов и рост степени интеграции. | 2 |
| 3 | Расчет процессов роста двуокиси кремния в сухом и влажном кислороде. | Термическое окисление кремния | 2 |
| 4 | Расчет процессов легирования для создания биполярных транзисторов. Расчет параметров ионного легирования для создания МОП-транзистора. | Методы легирования | 3 |
| 5 | Расчет края профиля маски при сухом травлении различными методами. | Субмикронная литография и сухое травление | 1 |
| 6 | Предельные размеры металлических межсоединений для предотвращения эффекта металлизации. Физические методы получения тонких пленок. | Процессы металлизации интегральных схем | 2 |
| 7 | Технологический маршрут и расчет структуры КМОП-инвертора. | Методы реализации СБИС на основе МДП-структур | 2 |
| 8 | Технологический маршрут и расчет структуры логического элемента на n-канальных МОП-транзисторов. | Методы реализации СБИС на основе МДП-структур | 2 |
| 9 | Перспективные конструкции активных элементов на графене. | Перспективы графеновой электроники | 2 |
7. Курсовой проект (курсовая работа)
Примерные темы курсовых работ.
1. Термическое окисление кремния
2. Получение мелких p-n переходов методом ионного легирования
3. Интегральные ионно-легированные резисторы и конденсаторы.
4. Логический элемент И-НЕ на n-канальных МОП-транзисторах.
5. Расчет параметров получения кремниевых КНД структур.
6. Субмикронный КМОП-инвертор
7. Трехмерный КМОП-инвертор.
8. МОП-транзистор с вертикальным затвором.
9. Субмикронный биполярный транзистор с изоляцией окислом.
10. Активные элементы на нанотрубках.
8. Учебно-методическое обеспечение дисциплины
8.1 Рекомендуемая литература
Основная литература:
- Королев М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 1/ М.А.Королев, Т.Ю.Крупкина, М.Г.Путря, В.И.Шевяков — М. БИНОМ, 2009 —-422с.
- Борисенко В.Е. Наноэлектроника / В.Е.Борисенко, А.И. Воробьева, Е.А.Уткина. —М.-БИНОМ, 2009— 223с.
- Научные основы нанотехнологий и новые приборы [пер. с англ.]/ ред. Р. Келсалл, И. Хемли, М. Джиогхеган. — М. : Интеллект, 2008. — 800 с.
Дополнительная литература:
- Рамбиди Н.Г. Нанотехнологии и молекулярные компьютеры/ Н. Г. Рамбиди. — М. :Физматлит, 2007. — 256 с.
- Дьячков П.Н. Углеродные нанотрубки. Строение, свойства, применения / П.Н. Дьячков. — М. : Бином, 2006. — 293 с.
- Пул-мл. Ч. Нанотехнологии [пер. с англ.] / Ч. Пул-мл., Ф. Оуэнс. — М. : Техносфера, 2007. — 375 с.
- Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике./В.В.Денисенко —.: Физматлит, 2010. — 406 с.
4.2 Рабочая учебная программа дисциплины «Физика нанокомпозитных материалов»
Общая трудоемкость дисциплины составляет 3 зачетные единицы (72 часа).
1. Цели и задачи изучения дисциплины «Физика нанокомпозитных материалов»
Учебная дисциплина «Физика нанокомпозитных материалов» относится к вариативной части общенаучного цикла дисциплин учебного плана и имеет своей целью формирование у студента универсальных, предметно-специализированных и социально-личностных компетенций, способствующих социальной мобильности, конкурентоспособности и устойчивости на отечественном и мировом рынке труда.
В результате изучения дисциплины студент должен:
Иметь компетенции:
общекультурные и общепрофессиональные:
- готовность и способность учитывать современные тенденции развития микро и нанотехнологии в профессиональной деятельности;
- способность к теоретическим и экспериментальным исследованиям в избранной области технической физики, способность к письменной и устной коммуникации на государственном языке;
- готовность работать с информацией из различных источников, способность использовать современные информационные технологии для поиска и анализа новой информации, способность самостоятельно приобретать, интерпретировать и использовать новые знания, применяя современные информационные технологии для поиска и анализа новой информации;
профессиональные:
- способность применять современные методы исследования физико-технических объектов, процессов и материалов, проводить стандартные и сертификационные испытания технологических процессов и изделий с использованием современных аналитических средств технической физики; готовность изучать научно-техническую информацию, отечественный и зарубежный опыт по тематике профессиональной деятельности;
- способность предлагать новые идеи и пути решения прикладных проблем, а также быстро осваивать и использовать новейшие достижения современной микро и нанотехнологии.
Знать:
- физические основы использования нанокомпозитных материалов; основные тенденции в создании новых нанокомпозитных материалов;
- особенности применения новых нанокомпозитных материалов и технологических процессов в наноэлектронике.
Уметь:
- критически оценивать достоинства, недостатки и области возможного применения новых нанокомпозитных материалов и технологии их получения;
- находить пути оптимального решения конкретных задач в области физической электроники, связанных с использованием нанокомпозитных материалов.
Иметь навыки:
- подготовки рефератов по конкретным направлениям развития нанокомпозитных материалов;
- устных сообщений о результатах проведенного анализа;
- участия в научной дискуссии.
Перечисленные цели и задачи имеют междисциплинарный характер и входят как составная часть в общие цели и задачи основной образовательной программы, обеспечивающей опережающую подготовку магистров с ориентацией на реальные потребности работодателей в квалифицированных и компетентных специалистах, владеющих наукоемкими технологиями мирового уровня.
Сформировать профессионально значимые качества личности:
- готовность к выполнению профессиональных функций в составе коллектива исполнителей;
- способность анализировать технологический процесс;
- способность к использованию результатов новых экспериментальных и теоретических исследований в области нанотехнологии, современных разработок в области технологии нанокомпозитных материалов, к самостоятельному выбору метода и объекта исследования.
2. Место учебной дисциплины в системе дисциплин учебного плана
Данная учебная дисциплина изучается во втором семестре в соответствии с инновационным учебным планом ООП и базируется на знаниях, полученных студентами при изучении курсов: «Прикладная физика», «Электронные приборы», «Физика твердого тела и полупроводников», «Материаловедение и технология конструкционных материалов», «Специальные вопросы микро и нанотехнологии». Знания, навыки и умения в области физики нанокомпозитных материалов дополняются, конкретизируются и закрепляются при изучении других специальных дисциплин, а также в процессе самостоятельной научно-исследовательской работы. Результаты изучения дисциплины необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, а также для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста.
3 Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля
Форма обучения очная
Таблица 4.2.1 – Распределение объема дисциплины «Физика нанокомпозитных материалов» по видам учебных занятий и формы контроля
| Виды занятий и формы контроля | Трудоемкость изучения по семестрам |
| 2-й семестр | |
| Лекции, час / нед | 2 |
| Практические занятия, час / нед | - |
| Лабораторные занятия, час / нед | 1 |
| Самостоятельные занятия, час / нед | 1 |
| Курсовые работы, шт / сем | 1 |
| Экзамены, шт / сем | 1 |
| Зачеты, шт / сем | 1 |
4. Содержание учебной дисциплины
4.1. Разделы учебной дисциплины по рабочей программе и объемы по видам занятий
Таблица 4.2.2 – Разделы учебной дисциплины и виды занятий
| Разделы программы | Объем занятий, часов | ||||
| № п.п. | наименование | лекций | практиче-ских занятий | лабора-торных занятий | самостоя-тельной работы |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| Введение | 1 | 0 | |||
| 1 | Пористые структуры и методы их исследования | 4 | 2 | ||
| 2 | Методы создания наноструктур внутри нанопористых матриц | 4 | 2 | 2 | |
| 3 | Влияние ограниченной геометрии на оптические свойства материалов | 4 | 2 | ||
| 4 | Электронный транспорт и сверхпроводимость в нанокомпозитных материалах | 4 | 2 | ||
| 5 | Замерзание и плавление в конфайнменте | 3 | 2 | ||
| 6 | Структура и фазовые переходы в нанокомпозитных материалах | 4 | 2 | ||
| 7 | Применение нанокомпозитных материалов | 4 | 2 | ||
| 8 | Перспективы дальнейшего развития наноматериалов | 2 | 1 | ||
| 9 | Физические основы сканирующей зондовой микроскопии | 2 | 4 | 1 | |
| 10 | Сканирующая атомно-силовая микроскопия | 2 | 6 | 1 | |
| 11 | Сканирующая туннельная микроскопия | 2 | 6 | 1 | |
| Общая трудоемкость: 72 час./ 3 зач.ед. | 36 | 18 | 18 | ||
4.2. Содержание разделов учебной дисциплины
Введение
Нанокомпозитные материалы как одно из перспективных направлений в создании материалов с заданными физическими свойствами.
4.2.1 Пористые структуры и методы их исследования.
Пористые среды, их основные параметры. Пористость. Методы характеризации пористых сред: электронная микроскопия; Методы, основанные на заполнении смачивающими жидкостями: пикнометрия, капиллярная конденсация; методы основанные на заполнении несмачивающими жидкостями, ртутная порозиметрия; адсорбция газов; малоугловое рассеяния рентгеновских лучей и нейтронов, определение фрактальной размерности; ядерный магнитный резонанс. Нанопористые материалы. Материалы со случайной системой пор: пористые стекла, аэрогели, ксерогели, трековые мембраны; матрицы с регулярной структурой пор: цеолиты, мезопористые молекулярные сита, искусственные опалы, хризотиловые асбесты, углеродные нанотрубки, нанопористый анодный оксид алюминия. Получение пористых материалов с заданным размером. Ликвация, спинодальный распад.
4.2.2 Методы создания наноструктур внутри нанопористых матриц.
Методы введения материалов в пористые матрицы. Введение смачивающих поверхность пор материалов из жидкой фазы. Введение несмачивающих поверхность пор материалов из жидкой фазы под давлением. Угол смачивания, поверхностное натяжение, закон Лапласа, преобразование механической энергии в энергию поверхности. Введение материала из насыщенных и пересыщенных растворов и из растворов в расплаве. Химические реакции в нанопорах, непосредственный синтез материалов в пористых матрицах, отвод продуктов реакции. Электрохимическое введение металлов в поры, систем металлических нанонитей. Сравнение различных методов, максимальный коэффициент заполнения.
4.2. 3 Влияние ограниченной геометрии на оптические свойства материалов.
Квантовый конфайнмент. Сдвиг спектров поглощения и испускания. Люминесценция, фосфоресценция, спектральная кинетика. Нелинейные оптические эффекты в условиях ограниченной геометрии. Фотонные и фононные кристаллы, запрещенная зона в оптических спектрах. Активные лазерные вещества на основе пористых материалов.
4.2.4 Электронный транспорт и сверхпроводимость в нанокомпозитных материалах
Электронный транспорт. Сверхпроводимость в нанокомпозитах. Зависимость температуры перехода от диаметра пор. Гигантский рост критических магнитных полей. Слабая локализация в нанопроволоках. Диэлектризация металлического и сверхпроводящего состояний. Квази-Пайерлсовский фазовый переход. Система Джозефсоновских контактов. Термоэлектричество в нанопроволоках. Латинджерова жидкость в полупроводниковых нанокомпозитах.
4.2.5 Замерзание и плавление в конфайнменте
Благородные газы. Двухатомные молекулярные соединения. Вода, фазовая диаграмма льда в условиях ограниченной геометрии. Металлы. Органические соединения. Влияние ограниченной геометрии на область гистерезиса. Жидкие кристаллы. Гелий в условиях ограниченной геометрии.
4.2.6 Структура и фазовые переходы в нанокомпозитных материалах
Структура и стехиометрия магнитных нанокомпозитных материалов. Магнитные фазовые переходы в условиях ограниченной геометрии.Размерный скейлинг в ферромагнетиках. Суперпарамагнитный предел. Разрушение дальнего порядка. Антиферромагнетики в ограниченной геометрии. Суперпарамагнетизм в антиферромагнитных нанокомпозитах. Сегнетоэлектрические материалы в условиях ограниченной геометрии. Гиганский диэлектрический отклик нанокомпозитов и предплавительное состояние. Особенности диэлектрической релаксации. Влияние ограниченной геометрии на параметры и вид фазовых переходов в сегнетоэлектриках.
4.2.7 Применение нанокомпозитных материалов.
Создание материалов с заданными механическими и тепловыми параметрами. Нанокомпозитные сегнето- и пьезоэлектрические материалы на основе пористых сегнетокерамик: использование в медицине и эхолокации. Материалы для оптической записи информации: глубокие трехмерные голограммы, использование монолитных ксерогелей. Нанокомпозитные лазерные среды на основе пористых стекол с внедренными красителями. Фотонные кристаллы на основе искусственных опалов. Модификация свойств за счет введения материалов с заданной диэлектрической проницаемостью. Получение «обращенных» полупроводниковых искусственных опалов.
4.2.8 Перспективы дальнейшего развития нанокомпозитных материалов.
Разработка систем СВЧ генерации на основе регулярных массивов джозефсоновских контактов. Использование нестационарного эффекта Джозефсона для генерации в СВЧ диапазоне. Управление частотой генерации. Создание двух- и трехмерных решеток джозефсоновских контактов.
Разработка микроканальных пластин на основе пористых матриц. Использование природных хризотиловых асбестов как основы для микроканальных пластин с пространственным разрешением порядка 20 – 30 нм.
Модификация свойств сегнетоэлектриков и магнетиков при диспергировании. Возможность преодоления суперпарамагнитного предела. Формирование предплавительного состояния с гигантским диэлектрическим откликом.
Разработка «аккумуляторов механической энергии на основе нанопористых материалов.
4.2.9 Физические основы сканирующей зондовой микроскопии
Принцип получения изображения в зондовом микроскопе. Сканирующие элементы зондового микроскопа. Трипод. Пъезокерамика. Нелинейность пъезокерамики. Гистерезис пъезокерамики.
4.2.10 Сканирующая атомно-силовая микроскопия
Силовое взаимодействие между зондом и поверхностью. Датчик силового взаимодействия – кантеливер. Задача Герца. Силы Ван-Дер-Ваальса. Энергия ориентационного взаимодействия. Энергия индукционного взаимодействия. Энергия дисперсионного взаимодействия. Влияние консервативных сил на решение задачи Герца. Методы атомно-силовой микроскопии. Формирование изображения в атомно-силовой микроскопии.
4.2.12 Сканирующая туннельная микроскопия
Туннельный эффект. Распределение электронов в приграничной области твердого тела. Потенциальный барьер. Плотность туннельного тока между зондом и образцом. Разрешающая способность туннельного микроскопа. Режимы работы сканирующего туннельного микроскопа.
4.2.13. Заключение
Преимущества и недостатки накокомпозитных материалов на основе пористых матриц по сравнению с другими наноструктурами.
6. Курсовой проект
Не предусмотрен
7. Учебно-методическое и информационное обеспечение учебной дисциплины
7.1. Рекомендуемая литература
Основная литература:
1. Нанотехнология: физика, процессы, технология, приборы / под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006 – 552 с.
2. Имри Й. Введение в мезоскопическую физику. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2007. — 304 с.
3. Вахрушев С.Б., Голосовский И.В., Королева Е.Ю., Кумзеров Ю.А., Набережнов А.А., Филимонов А.В., Фотиади А.Э. Физика наноразмерных структур. Создание и исследование нанокластерных материалов в пористых матрицах: Учебное пособие С.-Петербург: Изд-во Политехн. Ун.-та. 2007, 41 с.
Дополнительная:
1. Y. Kumzerov and S. Vakhrushev “Nanostructures Within Porous Media” in “Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology” ed. H.S.Nalwa American Scientific Publishers (Stevenson Ranch, CA) v.7 pp. 811-849 (2004)
2. Nanotechnology news: http://www2.nanotechweb.org/
3. Материалы 2-й Всероссийской Конференции по Наноматериалам: http://www.solid.nsc.ru/nano2007/RUS/soderzhanie.htm
4. Архипов А.В., Мишин М.В., Филимонов А.В. Прикладная физика. Физические основы вакуумной и криогенной техники, Изд-во Политехн. Ун-та, 2007. 206 с.
7.2. Программное и коммуникационное обеспечение:
Для иллюстрации излагаемого на лекциях материала необходим компьютерный проектор и лицензионное программное обеспечение «MS Office XP», а также копировальное устройство и расходные материалы, позволяющие обеспечить всех студентов твердыми копиями демонстрируемых слайдов.
8. Материально-техническое обеспечение учебной дисциплины
При изучении дисциплины не требуются специализированные лаборатории и классы, особые приборы, установки, стенды и т.п. В процессе проведения текущего тестирования 2-3 раза в семестр потребуется компьютерный класс с доступом в локальную сеть. Для самостоятельной работы студентам потребуется возможность выхода в Internet.
9. Методические рекомендации по организации изучения учебной дисциплины
В связи с тем, что технология создания современных нанокомпозитных материалов и направления их применения кардинально обновляются, в среднем, каждые два года, учебная литература не успевает отслеживать эти изменения. Поэтому содержание курса, также ежегодно обновляемое, основывается на научных публикациях в периодических изданиях и на сайтах ведущих корпораций.
4.3 Рабочая учебная программа дисциплины «Физико-химические аспекты наноструктурированных материалов»
Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 3 зач. ед. (90 часов)
1 Цели и задачи изучения дисциплины «Физико-химические аспекты наноструктурированных материалов»
Учебная дисциплина «Физико-химические аспекты наноструктурированных материалов» относится к вариативной части профессионального цикла дисциплин учебного плана подготовки магистров и имеет своей целью формирование у обучающихся перечисленных ниже компетенций, основанных на усвоении современных представлений о физических, химических и биологических свойствах различных наноматериалов, а также о возможности использования нанообъектов в перспективных областях промышленности.
В результате изучения дисциплины студент должен:
Иметь компетенции:
Общекультурные и общепрофессиональные:
- способность самостоятельно пополнять свои знания в области современных проблем физики нанотехнологий и наноразмерных структур, в частности, структур пониженной размерности;
- способность собирать, обрабатывать и интерпретировать необходимые данные для формирования суждений по возникающим научным проблемам;
- готовность генерировать, оценивать и использовать новые идеи;
- способность находить творческие, нестандартные решения профессиональных и социальных задач;
- способность вскрыть физическую, естественнонаучную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, провести их качественный и количественный анализ;
- способность осуществлять поддержку и развитие научных технологических инноваций;
- способность браться за новые области на основе самостоятельных занятий.
Профессиональные:
- способность критически анализировать современные проблемы наноструктурурированных материалов, ставить задачи и разрабатывать программу исследования, выбирать адекватные способы и методы решения экспериментальных и теоретических задач, интерпретировать, представлять и применять полученные результаты;
- способность самостоятельно выполнять физико-химические научные исследования для оптимизации параметров объектов и процессов с использованием стандартных и специально разработанных инструментальных и программных средств;
- готовность осваивать и применять современные физико-математические методы и методы искусственного интеллекта для решения профессиональных задач, составлять практические рекомендации по использованию полученных результатов, представлять результаты исследования в формах отчетов, рефератов, публикаций и презентаций.
Знать:
- физико-химические процессы, протекающие в различных наноматериалах, их структурные особенности;
- размерные зависимости электрических, магнитных, тепловых, химических, механических и оптических свойств наообъектов и наноструктурированных материалов.
Уметь:
- выполнять расчеты основных свойств наноматериалов;
- обоснованно выбирать методы изучения наноматериалов;
- использовать стандарты и другие нормативные документы при оценке контроля качества изделий;
- пользоваться общенаучной и специальной литературой.
Иметь навыки:
- по анализу разнообразных наноматериалов для научно обоснованного выбора соответствующего нанообъекта, наиболее подходящего для решения конкретной задачи; по исследованию наноструктурированных материалов с использованием сканирующего туннельного, атомно-силового и электронного просвечивающих микроскопов.
Сформировать профессионально-значимые качества личности:
- способность разрабатывать и оптимизировать современные наукоемкие технологии в различных областях технической физики с учетом экономических и экологических требований;
- готовность и способность применять физические и химические методы теоретического и экспериментального исследования, методы математического анализа и моделирования для постановки задач по развитию, внедрению и коммерциализации новых наукоемких технологий в области нанотехнологий и наноразмерных структур.
2 Место дисциплины в рабочем учебном плане
Курс «Физико-химические аспекты наноструктурированных материалов» излагается во втором семестре. Знания, полученные студентами при изучении таких курсов как «Материаловедение и технология конструкционных материалов», «Физика твердого тела и полупроводников», обеспечивают данную дисциплину. После ознакомления с курсом лекций студенты должны уметь квалифицированно подходить к постановке задач, выбору объектов исследования в связи с их строением и структурой при решении научных и научно-прикладных проблем, связанных с подготовкой магистерской диссертации.
3 Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля
Форма обучения очная
Таблица 4.3.1 – Распределение объема дисциплины «Физико-химические аспекты наноструктурированных материалов» по видам учебных занятий и формы контроля
| Виды занятий и формы контроля | Трудоемкость изучения по семестрам |
| 1-й семестр | |
| 1 | 2 |
| Лекции, час / нед | 2 |
| Практические занятия, час / нед | 1 |
| Самостоятельные занятия, час/нед | 2 |
| Курсовые проекты, шт / сем | - |
| Курсовые работы, шт / сем | - |
| Экзамены, шт / сем | 1 |
| Зачеты, шт / сем | - |
4 Содержание дисциплины
4.1 Разделы учебной дисциплины по рабочей программе и объемы по видам занятий
Таблица 4.3.2 – Разделы учебной дисциплины и виды занятий
| № | Разделы дисциплины по РПД | Объем занятий, час. | При-ме чания | ||
| Л | ПЗ | С | |||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| Введение. Историческая справка, основные понятия и терминология | 2 | - | - | ||
| 1 | Классификация нанообъектов | 2 | 2 | 2 | |
| 2 | Относительная роль физических и химических связей и взаимодействий применительно к нанообъектам | 2 | 2 | 2 | |
| 3 | Особые физические и химические свойства наночастиц и наноструктурированных материалов. Зависимость свойств от размера частиц | 4 | 2 | 4 | |
| 4 | Идеальная и реальная кристаллические структуры наноразмерных материалов | 4 | 2 | 4 | |
| 5 | Поверхностные явления и межфазные процессы | 2 | 2 | 4 | |
| 6 | Физико-химические основы формирования наноструктурированных материалов | 2 | - | 2 | |
| 7 | Термодинамика явлений в наносистемах. Квазиравновесие в наносистемах; | 4 | 2 | 4 | |
| 8 | Кинетика процессов в наноразмерных системах | 2 | 2 | 4 | |
| 9 | Электронное строение наночастиц. Поведение электронной подсистемы в наноматериалах | 4 | 2 | 4 | |
| 10 | Физические и химические свойства неорганических разупорядоченных наноструктур и композиционных материалов | 4 | - | 2 | |
| 11 | Физические и химические свойства неорганических упорядоченных наноструктур и композиционных материалов | 4 | 2 | 4 | |
| Общая трудоемкость: 90 час / 3 зач. ед | 36 час | 18 час | 36 час | ||
