Электронные эффекты в слоистых структурах на о с нове диоксида ванадия
ПЕТРОЗАВОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
На правах рукописи
КУЛДИН НИКОЛАЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ
ЭЛЕКТРОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ
НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА ВАНАДИЯ
Специальность 01.04.04 - физическая электроника
АВТОРЕФЕРАТ
диссертации на соискание ученой степени
кандидата физико-математических наук
Петрозаводск
2006
Работа выполнена на кафедре геофизики
в Петрозаводском государственном университете
Научный руководитель: доктор физико-математических наук,
профессор Стефанович Г.Б.
Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,
профессор Барабан А.П.
доктор педагогических наук,
кандидат физико-математических наук,
профессор Назаров А.И.
Ведущая организация: Карельский государственный педагогический
университет
Защита состоится « » декабря 2006 г. в часов на заседании
Диссертационного Совета K 212.190.01 при Петрозаводском государственном университете по адресу: 185910, Петрозаводск, пр. Ленина, д. 33.
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Петрозаводского государственного университета.
Автореферат разослан «___» ноября 2006 г.
Ученый секретарь
диссертационного совета
к.ф.м.н. Алешина Л.А.
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность работы. Общая проблематика фазовых переходов металл-полупроводник (ФПМП) достаточно широка и в той или иной мере находит свое отражение в самых различных областях физики конденсированного состояния. Несмотря на универсализм поведения, системы с ФПМП условно могут быть разделены на две группы по начальному механизму нестабильности основного состояния. В первой группе, изменения в кристаллической решетке (структурный фазовый переход) приводят к расщеплению электронной зоны проводимости и, следовательно, к переходу в полупроводниковую фазу. В другой группе ФПМП удовлетворительно описывается в рамках чисто электронных моделей (например, переход Мотта). Классическими объектами для изучения ФПМП являются оксиды переходных металлов (в частности оксиды ванадия).
ФПМП в диоксиде ванадия и обусловленный им эффект электрического переключения перспективны для создания самых разнообразных электронных устройств [1-3]. Любое продвижение вперед в развитии кремниевой электроники в настоящем сопряжено с гигантскими материальными и финансовыми проблемами. В такой ситуации становится экономически выгодным разработка электронных компонентов основанных на иных физических принципах и материалах [4]. Все это делает задачу исследования электронных эффектов в структурах на основе диоксида ванадия и поиск путей их использования для разработки приборных структур актуальной и значимой с практической точки зрения.
Цель работы заключалась в исследовании ФПМП и явления электрического переключения в тонкопленочных МОП структурах в условиях влияния высоких полей и концентраций неравновесных носителей. Изучении особенностей динамики электрического переключения в транзисторных МОП структурах на высоких частотах, развитии методов создания микро и наноструктур реализующих обнаруженные эффекты.
Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые:
• Экспериментально исследовались способы управления динамикой переключения Si-SiO2-VO2 структуры, обладающей S – образной вольтамперной характеристикой (ВАХ).
• Проведено численное моделирование протекания переменного тока в структуре Si-SiO2-VO2, в которой эффект электрического переключения с S-образной ВАХ обусловлен ФПМП в диоксиде ванадия.
• Приведены результаты численного расчета распределения поля и концентрации электронов в области пространственного заряда в структурах на основе диоксида ванадия. Показаны особенности полевого управления ФПМП, как в прямом, так и в обратном направлениях.
• Исследована модификация электрических свойств анодных пленок диоксида ванадия под действием электронно-лучевой обработки.
Научно-практическая значимость работы определяется тем, что в ней получена важная информация, способствующая развитию представлений о ФПМП и явлении электрического переключения в оксидах переходных металлов. В прикладном аспекте МОП структуры на основе оксидов переходных металлов, обладающие переключением с вольтамперной характеристикой S-типа, перспективны с точки зрения использования их в качестве различных электронных устройств и чувствительных элементов сенсорных систем. Определяется это их малыми размерами, сэндвич-конфигурацией, совместимой с современной интегральной технологией, а также – высоким быстродействием и низкой пороговой мощностью. Определённый интерес для приложений представляют также трёхэлектродные структуры Si – SiO2 – VO2, в которых могут быть реализованы эффекты тиристорного и транзисторного типа. Так же изучены особенности модификации электрических свойств анодных пленок диоксида ванадия под действием электроннолучевого облучения, полученные результаты могут быть использованы для создания микропереключательных структур с одинаковыми пороговыми характеристиками.
Основные положения выносимые на защиту:
- Управление динамикой переключения в структуре Si-SiO2-VO2 можно осуществлять как подачей напряжения смещения на Si-подложку, так и освещением.
- Показана возможность управления динамикой электрического переключения Si-SiO2-VO2 структуры на высоких частотах (105-109 Гц), что делает ее перспективным элементом для использования в высокочастотной микроэлектронике в качестве близкого аналога тиристоров и фототиристоров.
- В условиях реализации эффекта поля в Si-SiO2-VO2 структуре, при комнатной температуре и внешних полях порядка 105-106 В/см, в диоксиде ванадия образуется металлический слой, обусловленный электронно-стимулированным ФПМП.
- Электронно-лучевая обработка снижает разброс напряжений электроформовки и унифицирует пороговые характеристики переключателей на основе анодных пленок диоксида ванадия.
Апробация работы: Основные результаты диссертационной работы были доложены на: Восьмой всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Екатеринбург, 2002 г.), Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов-2002» (Москва, 2002 г.), Первой международной конференции по физике электронных материалов (Калуга, 2002 г.), 15-ом Международном симпозиуме «Тонкие пленки в оптике и электронике» (Харьков, 2003 г.), Международной конференции «Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий» (Обнинск, 2003 г.), Десятой всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Москва, 2004 г.), Международной научно– технической конференции «Сенсорная электроника и микросистемные технологии (СЕМСТ-1)» (Одесса, 2004 г.), Всероссийской конференции «Физика низкотемпературной плазмы» (Петрозаводск, 2004 г.), 20th General Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society (Prague, 2004 г.), 4 – й Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт – Петербург, 2004 г.), Международной конференции «Диэлектрики - 2004» (Санкт – Петербург, 2004 г.), 9-ой Санкт – Петербургской ассамблеи молодых ученых и специалистов (Санкт – Петербург, 2004 г.), Второй международной конференции по физике электронных материалов (Калуга, 2005 г.), Всероссийской конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы современной физики» (Москва, 2006 г.).
Публикации и вклад автора. Основные результаты изложены в 31 публикации, перечень которых приведен в конце автореферата. Основные экспериментальные и теоретические результаты диссертационной работы получены автором. В коллективных работах автору принадлежат изложенные в диссертации выводы и защищаемые положения.
Обьем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 разделов, заключения, списка литературы и приложения. Диссертация содержит 105 стр., включая 41 рисунок, 2 таблицы и 114 наименований библиографических ссылок.
ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ
Во Введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы цель работы, научная новизна, научно-практическая значимость.
Раздел 1 содержит обзор литературных данных по ФПМП и эффекту переключения в оксидах ванадия. Анализ этих данных позволил сделать следующие выводы.
• Актуальным направлением исследований является разработка новых структур на основе двуокиси ванадия реализующих полевое управление явлением электрического переключения и ФПМП.
• Необходимо развить методы получения микро и наноструктур на основе оксидов переходных металлов, используя явления электронно-лучевой, лазерной и ионной модификации.
Исходя из этих выводов, сформулированы следующие задачи работы.
• Исследовать динамику электрического переключения в Si-SiO2-VO2 структуре.
• Исследовать распределение поля и концентрации носителей при реализации эффекта поля в Si-SiO2-VO2 структуре.
• Разработать методику получения микро и наноструктур на основе оксидов переходных металлов, используя явления электронно-лучевой, лазерной и ионной модификации.
Раздел 2 представляет собой описание технологий получения образцов и методик экспериментальных исследований. В частности, описана модернизированная установка ВУП-5М для получения пленок двуокиси ванадия методом магнетронного реактивного распыления, с резким обратимым скачком проводимости, при температуре ФПМП (Tt=340 К), 3 – 4 порядка.
Раздел 3 содержит результаты экспериментального исследования и численного моделирования электрофизических свойств структур Si-SiO2-VO2. При подаче положительного напряжения (Vg) на кремниевую подложку p-типа, которая в данных экспериментах является затвором при Vg > 60 – 70 В наблюдался сдвиг температурной зависимости проводимости в сторону низких температур. Величина сдвига зависела от значения Vg и не превышала 3 – 5оС непосредственно перед пробоем слоя SiO2 (пробивное напряжение Vbr 90 В). Наблюдаемое смещение можно трактовать как снижение температуры ФПМП за счет полевого увеличения концентрации электронов на границе SiO2-VO2.
Далее анализируется возможность дополнительного джоулева разогрева пленки VO2 предпробойными токами, текущими через SiO2. Для этого делается оценка температуры, на которую нагреется пленка диоксида ванадия во время эксперимента за счет дополнительных токов утечки через структуру (Т). В результате получается Т 10-7 К. Таким образом показано, что экспериментально наблюдаемые токи ( 10-10А) не могут существенно изменить температуру диоксида ванадия.
С целью исключения разогрева пленки VO2, было проведено экспериментальное исследование влияния на ФПМП поля объемного заряда захваченного в нитриде кремния в структурах типа Si – SiO2 – Si3N4 - VO2. Накопление заряда осуществлялось путем туннельной инжекции электронов из кремния р – типа через слой SiO2 и его захватом на ловушечные уровни в нитриде. Величина заряда контролировалась по сдвигу высокочастотных вольтфарадных характеристик. Было обнаружено, что после накопления достаточно большого заряда, и отключения напряжения от кремниевой подложки наблюдается смещение Tt в область низких температур. Этот эксперимент показывает наличие эффекта влияния электрического поля на ФПМП в условиях, исключающих дополнительный джоулев разогрев VO2 токами через диэлектрик.
Затем была предпринята попытка оценить влияние полевых эффектов на проводимость планарных структур на основе VO2, при этом за основу был взят Моттовский механизм ФПМП. Это концентрационный механизм, в котором переход из S-фазы (полупроводниковая) в M-фазу (металлическая) происходит при достижении некой критической концентрации электронов n ~ nс1=1019 см-3, а обратный (MS), при концентрации n ~ nс2 (nс2 nm/3, где nm=3·1022 см-3– равновесная концентрация электронов в М-фазе [5]). В результате проведенных расчетов было показано, что при реализации эффекта поля в Si-SiO2-VO2 структуре, при комнатной температуре, благодаря ФПМП, в диоксиде ванадия образуется металлический слой 10 при внешних полях порядка 105-106 В/см.
В работе также исследовались динамические вольтамперные характеристики структуры Si-SiO2-VO2, обладающей эффектом электрического переключения.
Пленка диоксида ванадия напылялась на Si – SiO2 (SiO2 ~ 1000, Si – p-типа) подложку методом магнетронного реактивного напыления. Сверху методом термического напыления наносились алюминиевые контакты (рисунок 1). Переменный сигнал поступал с генератора 1, напряжение смещения на Si-подложку подавалось с источника постоянного напряжения 2. Следует отметить, что во всех экспериментах по исследованию изменения динамических ВАХ под действием напряжения смещения и освещения, амплитуда сигнала, поступающего с генератора 1, была фиксирована U~15 В. Исследование ВАХ структуры проходило на низких (~ 100 Гц) и средних (~ 6 кГц) частотах при различных USi, а также при различной освещенности.
Рисунок 1 – Схема включения Si – SiO2 – VO2 структуры и вид сверху Al – контактов (1 – источник переменного сигнала с частотой f, 2 – источник постоянного напряжения смещения USi, R1 = 100 кОм, R2 = 10 Ом, R3 = 560 кОм, C1 = 0.022 мкФ).
Рисунок 2 – Динамическая вольтамперная характеристика Si – SiO2 – VO2 структуры с переключением (а) и без переключения (б).
Исследуемая структура характеризуется ВАХ переключательного типа (рисунок 2.а). При наблюдении динамической ВАХ на низкочастотном сигнале (~100 Гц), освещение структуры и (или) смещение Si-подложки (по крайней мере, в диапазоне USi от - 30 до 30 В) не влияло на вид ВАХ. Это, по всей видимости, объясняется тем, что на низких частотах реактивное сопротивление емкости структуры С велико, поэтому изменение емкости области пространственного заряда (ОПЗ) Csc не сказывается на изменении величины тока через RVO2. Однако при переходе в более высокочастотную область можно было обратимо переводить структуру в состояние без переключения при помощи подачи соответствующего напряжения смещения на подложку. Так на частоте 6 кГц при USi < - 12.2 В наблюдался переход к динамической ВАХ показанной на рисунке 2.б. В этом случае переключение отсутствует. При положительном смещении подложки вырождение переключения наблюдалось при напряжении USi > 4.6 В.
Далее было обнаружено влияние освещения на динамику переключения. При USi 0 освещение не влияло на работу переключателя. Однако при отрицательном смещении подложки уже слабое освещение приводило к исчезновению переключения на динамической ВАХ. Так на частоте 6 кГц при USi = - 8 В и освещенности 5·10-4 Дж·см-2·с-1 переключение исчезало, и динамическая ВАХ имела вид, показанный на рисунке 2.б.
Таким образом, мы могли управлять динамикой переключения структуры, изменяя освещение или напряжение смещения USi. Во всех случаях исчезновение переключения на динамической ВАХ, по нашему мнению, обусловлено уменьшением величины переменного тока, протекающего по пленке диоксида ванадия, который в свою очередь зависит от емкости структуры C, образованной емкостью SiO2 (Cox) и емкостью (Сsc). Как известно емкость диэлектрика Cox считается постоянной, а емкость ОПЗ Сsc зависит от поверхностного потенциала, который мы изменяем напряжением смещения USi. При наблюдении на частоте 6 кГц при USi < - 12.2 В мы имеем режим сильной инверсии, а при USi > 4.6 В – режим обогащения, что в том и в другом случае приводит к увеличению емкости ОПЗ.
При облучении возникает фотоемкостный эффект, который наблюдается при фотовозбуждении в собственной полосе поглощения полупроводника. Образующиеся фотоэлектроны увеличивают концентрацию инверсных подвижных электронов, которые находятся вблизи границы Si-SiO2. При этом ширина области пространственного заряда уменьшается, и емкость ОПЗ под освещенным межэлектродным промежутком увеличивается.
Для того чтобы оценить возможность управления динамикой переключения в данной структуре на более высоких частотах, было проведено численное моделирование протекания переменного тока в ней. Оценим, сначала, время электрического переключения ts. Как показано в [6] время развития ФПМП составляет менее 10-13 с. Поэтому основной вклад в ts, при тепловом механизме переключения, будет давать время остывания канала до температуры обратного ФПМП (). Используя уравнение теплопроводности для канала длиной ~100 нм, время остывания ~ 10-9 с. Таким образом, существует возможность наблюдения переключения на частотах до 109 Гц. Однако если считать, что переключение обусловлено ФПМП с электронным механизмом Мотта, то в этом случае может быть достижим терагерцовый диапазон частот.
Управление амплитудой тока проходящего через пленку VO2 осуществляется варьированием общей емкости структуры (С) за счет изменения величины поверхностного потенциала s, который является функцией напряжения смещения на Si – подложке USi [7]. Упрощенное выражение для емкости структуры будет выглядеть следующим образом:
(1)
где Сох – емкость подзатворного диэлектрика SiO2, Сp – емкость ОПЗ в области обогащения, СB – емкость ОПЗ в области обеднения и слабой инверсии, Cn - емкость ОПЗ в области сильной инверсии, Css - емкость поверхностных состояний (ПС), n – времени жизни неосновных носителей в ОПЗ, ss – время перезарядки ПС, = 2f.
Выражение для амплитуды тока I через диоксид ванадия (RVO2):
(2)
где U = 15 В – напряжение с генератора 1, R1 = 100 кОм – нагрузочное сопротивление, RVO2 = 160 кОм – сопротивление пленки VO2 (рисунок 1.а)
Учитывая, что Сp, СB и Cn есть функции s, и предполагая, что энергетический спектр распределения ПС на границе раздела Si-SiO2 является квазинепрерывным, на основании вышеприведенных формул мы рассчитали зависимость I от s на частоте f = 6 кГц (рисунок3, кривая 1).
Рисунок 3 – Зависимость амплитуды тока I проходящего через RVO2 от s для двух частот f (кривые 1 и 1’) с соответствующими уровнями значений Ith (пунктирные линии 2 и 2’). 1 – f = 6 кГц, 2 – Ith = 510-5 A (правая шкала); 1’ – f = 109 Гц, 2’ – Ith = 3,7510-7 A (левая шкала).
Как видно, кривая 1 пересекает уровень Ith (линия 2) в двух рабочих точках, при положительном и отрицательном значениях s, которые соответствуют двум экспериментально определенным критическим управляющим напряжениям смещения USi = -12.2 В и USi = 4.6 В соответственно. Численное моделирование показало, что при увеличении частоты сигнала подаваемого на структуру происходит уменьшение максимальной амплитуды тока Imax (Imax, Imin – максимальное и минимальное значение амплитуды тока I при варьировании s), что при условии Imax < Ith, приводит к исчезновению переключения. Однако если уменьшить геометрические размеры переключателя, то Imax снова превысит Ith.
Влиять на параметры переключателя, такие как критический ток Ith, критическое напряжение переключения Uth и RVO2 можно при помощи варьирования размеров межэлектродного промежутка. Значения Ith, Uth и RVO2 можно оценить следующим образом:
(3)
(4)
(5)
где VO2 – удельное сопротивление пленки VO2 в полупроводниковой фазе, jth – критическая плотность тока, l, h, d – длина, ширина и толщина канала диоксида ванадия соответственно.
Используя (1)-(5) мы рассчитали зависимость I от s на частоте f = 109 Гц (рисунок.3, кривая 1’) с измененными, относительно расчетов на частоте f = 6 кГц, параметрами. Как видно из графика, при переходе в гигагерцовый диапазон частот наблюдается смещение рабочей точки, соответствующей положительному значению поверхностного потенциала s, в область больших значений s (s > 2), которые реально недостижимы при любом USi.
Таким образом, было показано, что, если уменьшать геометрические размеры переключателя, то, уменьшается время электрического переключения Si-SiO2-VO2 структуры, с возможностью достижения гигагерцового диапазона рабочих частот. Однако в этом случае, переключатель имеет одно критическое управляющее напряжение смещения USi при s < 0. Полученные результаты делают указанную структуру перспективным элементом для использования в высокочастотной микроэлектронике в качестве близкого аналога тиристоров и фототиристоров.
Раздел 4 содержит результаты исследования модификации электрических свойств анодных оксидных пленок (АОП) ванадия под действием электронно-лучевого облучения.
Наблюдалось влияние ЭЛ обработки на электрические свойства АОП ванадия. При увеличении дозы облучения (W) возрастала проводимость пленок. При изменении W от 15 до 500 мкКл/см2 проводимость АОП ванадия, определяемая по омическому участку ВАХ, возрастала почти на 2 порядка.
Облучение электронами снижало также электрическую прочность оксидов. Электрический пробой в исследуемых пленках часто не приводит к полной потере электрической прочности, а переводит оксид в новое состояние с S–образной ВАХ (процесс электроформовки).
Процесс электроформовки, так же как и пробой, определяется случайным распределением слабых мест в оксидной пленке и носит статистический характер, что приводит к широкому распределению напряжений формовки и, как результат, к разбросу пороговых параметров переключения. Обработка электронным лучом существенно снижает разброс напряжений электроформовки и унифицирует пороговые характеристики переключателей. Например, если разброс порогового напряжения после формовки для исходных оксидов составляет 5–10 В, то после дозы облучения ~ 200 мкКл/см2 он не превышает одного вольта. Необходимо отметить, что при увеличении экспозиционной дозы исходный оксид можно модифицировать таким образом, что электрическое переключение будет наблюдаться сразу же после электронного облучения, без предварительной электроформовки. Разброс пороговых параметров при этом минимален.
В завершении раздела идет обсуждение полученных результатов и описание возможных механизмов трансформации свойств АОП ванадия под действием электронного облучения.
В Заключении перечислены основные результаты и выводы работы.
- Управление динамикой переключения в структуре Si-SiO2-VO2 можно осуществлять как подачей напряжения смещения на Si-подложку, так и освещением.
- Используя численное моделирование, показана возможность управления динамикой электрического переключения Si-SiO2-VO2 структуры на высоких частотах (105-109 Гц), что делает ее перспективным элементом для использования в высокочастотной микроэлектронике в качестве близкого аналога тиристоров и фототиристоров.
- Проведен расчет поля и концентрации электронов в области пространственного заряда VO2. Показаны особенности полевого управления ФПМП, как в прямом, так и в обратном направлениях.
- Электронно-лучевая обработка снижает разброс напряжений электроформовки и унифицирует пороговые характеристики переключателей на основе анодных пленок диоксида ванадия.
Приложение А содержит текст программы MathCad для численного моделирования электрического переключения в Si-SiO2-VO2 структуре.
Основные результаты опубликованы в виде статей и тезисов докладов конференций:
1. Кулдин Н.А., Величко А.А., Пергамент А.Л., Стефанович Г.Б., Борисков П.П.. Численное моделирование электрических свойств структуры Si-SiO2-VO2 // ПЖТФ. – 2005. – Т.31. – Вып.12. – С.63 – 69.
2. Величко А.А., Кулдин Н.А., Стефанович Г.Б., Пергамент А.Л.. Управление динамикой переключения в структуре Si-SiO2-VO2 // ПЖТФ. – 2003. – Т.29. – Вып.12. – С.49 – 53.
3. Величко А.А., Казакова Е.Л., Кикалов Д.О., Кулдин Н.А., Пергамент А.Л., Стефанович Г.Б., Стефанович Д.Г.. Электронно-лучевая модификация свойств оксидов переходных металлов // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2004. – Т.6. - №4. – С. 336 – 339.
4. Величко А.А., Пергамент А.Л., Стефанович Г.Б., Путролайнен В.В., Черемисин А.Б., Мануилов С.А., Кулдин Н.А., Логинов Б.А. // Получение наноструктур на основе оксидов переходных металлов // Нанотехника. № 2. С. 89-95 (2006).
5. Кулдин Н.А., Величко А.А. // Эффект переключения в Si-SiO2-VO2 структуре // Тезисы конф. Фундаментальные и прикладные проблемы современной физики. Москва. 2006. С. 111-112.
6. Кулдин Н.А., Величко А.А., Стефанович Г.Б., Пергамент А.Л., Стефанович Д.Г. // Электронное управление переходом металл-изолятор в двуокиси ванадия // Современные наукоемкие технологии. – 2004. – N2. – С. 43-45.
7. Величко А.А., Стефанович Г.Б., Пергамент А.Л., Стефанович Д.Г., Кулдин Н.А. // Плазмохимическое проявление резиста на основе аморфного оксида ванадия // Современные наукоемкие технологии. – 2004. – N2. – С. 50-52.
8. Кулдин Н.А., Величко А.А. Управлением переключением в структуре Si-SiO2-VO2 // Успехи современного естествознания. – 2004. – N4. – С. 44-46.
9. Величко А.А., Кулдин Н.А., Стефанович Г.Б., Пергамент А.Л., Борисков П.П. Аморфный оксид ванадия – неорганический резист для нанолитографии // Успехи современного естествознания. – 2004. – N4. – С. 53-54.
10. Кулдин Н.А. Электронные эффекты в слоистых структурах н6а основе диоксида ванадия // 9-я Санкт – Петербургская ассамблея молодых ученых и специалистов. – 2004. – С. 24.
11. Kuldin N.A., Velichko A.A., Pergament A.L., Stefanovich G.B. Numerical simulation of the field effect on metal-insulator transition in vanadium dioxide // Physics of electronic materials. – Kaluga. – 2005. – C. 209 – 212.
12. Борисков П.П., Величко А.А., Стефанович Г.Б., Кулдин Н.А. // Переход металл-изолятор в наноструктурах с переключением на основе двуокиси ванадия // СП-б. 2004. Диэлектрики-2004. С.245 – 247.
13. Стефанович Г.Б., Пергамент А.Л., Величко А.А., Кулдин Н.А., Борисков П.П.// Аморфный оксид ванадия – новый неорганический резист для микро – и нанолитографии // Тезисы докл. 4 – й Межд. Конференции “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”. Санкт – Петербург. – 2004. – С. 307 – 308.
14. Борисков П.П., Величко А.А., Кулдин Н.А., Стефанович Г.Б. // Влияние сильного электрического поля на переход металл – изолятор в наноструктурах на основе двуокиси ванадия // Тезисы докл. 4 – й Межд. Конференции “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”. Санкт – Петербург. – 2004. – С. 238 – 239.
15. Velichko A.A., Pergament A.L., Stefanovich G.B., Kuldin N.A. // Electronic switching and metal – insulator transitions in compounds of transition metals // 20th General Confer-ence of the Condensed Matter Division of the European Physical Society. July 19 – 23. Prague. – 2004. – P. 140.
16. Velichko A.A., Kuldin N.A., Stefanovich G.B., Pergament A.L. // Development of vanadium-oxide resist by reactive etching in chlorine plasma // 20th General Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society. July 19 – 23. Prague. – 2004. – P. 263.
17. Стефанович Г.Б., Стефанович Д.Г., Кулдин Н.А., Величко А.А., Пергамент А.Л., Борисков П.П., Путролайнен В.В. // Альтернативные методы нанесения оксиднованадиевого резиста // Тезисы докл. Всероссийской конф. “Физика низкотемпературной плазмы”. Петрозаводск. – 2004. – С. 205 – 208.
18. Величко А.А., Кулдин Н.А., Стефанович Г.Б., Пергамент А.Л. // Термо – и фотодатчик на основе структуры Si-SiO2-VO2 // Тезисы докл. Межд. науч. – технич. конф. “Сенсорная электроника и микросистемные технологии (СЕМСТ-1)”. 1 – 5 июня. Одесса. 2004. С. 129.
19. Стефанович Г.Б., Величко А.А., Борисков П.П., Кулдин Н.А., Пергамент А.Л., Кикалов Д.О. Электронно-лучевая модификация оксидов переходных металлов // Тезисы докл. Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий. – Обнинск. – 2003. – С. 118-119.
20. Стефанович Г.Б., Величко А.А., Борисков П.П., Кулдин Н.А., Пергамент А.Л., Кикалов Д.О. Метастабильная аморфная фаза оксидов переходных металлов // Тезисы докл. Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий. – Обнинск. – 2003. – С. 116-118.
21. Стефанович Г.Б., Пергамент А.Л., Величко А.А., Стефанович Д.Г., Кулдин Н.А., Борисков П.П. Аморфный оксид ванадия – резист для нанолитографии // Сбор. Докл. 15-го Межд. Симпозиума «Тонкие пленки в оптике и электронике». Харьков. – 2003. – C. 263-267.
22. Стефанович Г.Б., Пергамент А.Л., Стефанович Д.Г., Величко А.А., Кулдин Н.А., Борисков П.П. Получение нанокристаллических пленок ванадия и исследование их свойств // Сбор. Докл. 15-го Межд. Симпозиума «Тонкие пленки в оптике и электронике». Харьков. – 2003. – C. 77-81.
23. Stefanovich G.B., Velichko A.A., Pergament A.L., Stefanovich D.G., Kuldin N.A. Amorphous vanadium oxide: new resist material for nanolithography // Proceedings of the 37 annual conference of the finish physical society. - Helsinki. – 2003. – p.252.
24. Величко А.А., Кулдин Н.А. Электрические свойства структур Si – SiO2 – VO2 // Тезисы докл. Международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов-2002». – Москва. – 2002. – C.191.
25. Величко А.А., Кулдин Н.А., Мануилов С.А., Черемисин А.Б. Влияние давления на переключение в структурах на основе двуокиси ванадия // Тезисы докл. Восьмой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-8). – Екатеринбург. – 2002. – C.248 – 250.
26. Величко А.А., Кулдин Н.А., Стефанович Г.Б., Электрические свойства структуры Si – SiO2 – VO2 // Тезисы докл. Международной конференции по физике электронных материалов. – Калуга. – 2002. – С.362.
27. Кулдин Н.А., Величко А.А. Фотоиндуцированное изменение электрических свойств структур Si – SiO2 – VO2 // Тез. докл. ВНКСФ-8. – Екатеринбург. – 2002. – C.252 – 255.
28. Мануилов С.А., Величко А.А., Кулдин Н.А., Черемисин А.Б. Электрические свойства структур Si – VO2 – Me // Тез. докл. ВНКСФ-8. – Екатеринбург. – 2002. – C.257 – 259.
29. Черемисин А.Б., Величко А.А., Кулдин Н.А., Мануилов С.А. Датчик с частотным выходом на основе диоксида ванадия // Тез. докл. ВНКСФ-8. – Екатеринбург. – 2002. – C.276 – 278.
30. Кулдин Н.А., Величко А.А. // Модель переключения в структуре Si-SiO2-VO2 // Мо-сква. тез. док. ВНКСФ-10. 2004. С.199 – 201.
31. Boriskov P.P., Pergament A.L., Velichko A.A., Stefanovich G.B., Kuldin N.A. // Metal-insulator transition in electric field: A viewpoint from the switching effect // Preprint. Condensed Matter. Abstract cond-mat/0603132. http://arxiv.org/abs/cond-mat/0603132
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
- Стефанович Г.Б. Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов: Дисс. докт. физ.–мат. наук. // Санкт-Петербург, 1997. – 360 с.
- Пергамент А.Л. Эффект переключения в оксидах переходных металлов: Дисс. канд. физ.–мат. наук. // Санкт-Петербург, 1994. – 170 с.
- Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл–полупроводник и его применение. – Л.: Наука, 1978. – 187 с.
- Ahn C. H., Triscone J.-M. and Mannhart J. // Nature. (28 August 2003).V. 424. P. 1015-1018.
- Pergament A. // J. of Phys. Cond.Mat. 2003. V. 15. N. 19. May 21. P. 3217-3223.
- Cavalleri A., Toth C., Siders C. et al. // Phys. Rev. Lett. 2001. V. 87. P. 237401 – 237404.
- Зи С. // Физика полупроводниковых приборов. М.; Мир, 1984. Т. 1. 455с.
