WWW.DISUS.RU

БЕСПЛАТНАЯ НАУЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

 

Особенности преобразования и распространения поверхностных акустических волн в слоистой электродной структуре на поверхности пьезокристаллов

На правах рукописи

Чайковский Дмитрий Станиславович

ОСОБЕННОСТИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ И РАСПРОСТРАНЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН В СЛОИСТОЙ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЕ НА ПОВЕРХНОСТИ ПЬЕЗОКРИСТАЛЛОВ

Специальность 01.04.03. - радиофизика

Автореферат

диссертации на соискание учёной степени

кандидата физико-математических наук

Саратов 2007

Работа выполнена на кафедре физики твердого тела

факультета нано- и биомедицинских технологий

Саратовского государственного университета им. Н.Г. Чернышевского

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

старший научный сотрудник

Сучков Сергей Германович

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор Лазерсон Александр Григорьевич,

доктор физико-математических наук,

доцент Кузнецова Ирэн Евгеньевна

Ведущая организация: ОАО «НИИ-Тантал», г. Саратов

Защита диссертации состоится 30 мая 2007г. в 17 часов 30 минут на заседании диссертационного совета Д212.243.01 при Саратовском государственном университете им. Н.Г. Чернышевского по адресу: 410026, г. Саратов, ул. Астраханская, 83.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке

Саратовского государственного университета.

Автореферат разослан 27 апреля 2007 г.

Ученый секретарь диссертационного совета Аникин В.М.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы

Устройства на ПАВ уже давно используются в промышленных приборах связи, радиолокации, военной технике, а в настоящее время нашли широкое применение и в бытовой аппаратуре, такой, например, как телевизоры и сотовые телефоны. Эти устройства осуществляют аналоговую обработку информации, а в качестве объекта переноса информации используют акустические волны в кристаллах. Неотъемлемым элементом данных устройств является преобразователь электрического сигнала в акустическую волну, выполняющий также и обратное преобразование акустической волны в электрический сигнал. Конструкция преобразователя зависит от требований к его амплитудно-частотной характеристике (АЧХ), фазочастотной характеристике (ФЧХ), к уровню ложных сигналов, а также зависит от вида используемой волны (Рэлея, Гуляева-Блюстейна, приповерхностных объемных акустических волн), требований к температурной стабильности и других факторов. В случае применения поверхностных волн на пьезоэлектрических кристаллических подложках наиболее часто используют встречно-штыревой преобразователь (ВШП).

В большинстве устройств на ПАВ встречно-штыревые преобразователи изготавливаются из тонкой пленки алюминия (реже золота или серебра), нанесенной методом вакуумного напыления. Поскольку при термическом испарении адгезия пленки алюминия к поверхности полированного кварца и ниобата лития низка, в качестве адгезионного подслоя используют хром или ванадий. Для обеспечения хорошей адгезии пленки алюминия толщина адгезионного подслоя должна быть от 20 до 50 нм.

Таким образом, электроды ВШП на самом деле представляют собой двухслойную структуру. Однако в большом числе известных работ, например, [1-3] при расчетах устройств на ПАВ не учитывают массовую нагрузку электродов, в работах [4,5] она учитывается, но не учитывается отличие упругих свойств материала электродов от объемных образцов, в работах [6,7] учитываются массовая нагрузка и упругие свойства однослойных электродов, но работы, в которых бы учитывалось влияние слоистой структуры электродов, то есть наличие адгезионного подслоя, неизвестны.

В связи с непрерывным продвижением устройств на ПАВ в СВЧ диапазон, развитием систем сотовой связи и освоением новых частотных диапазонов (свыше 2 ГГц) расширилась область применения устройств на ПАВ, в частности, разрабатываются устройства для использования в антенных трактах передатчика сотового телефона.

Поэтому существует потребность в повышении точности расчетов характеристик устройств на ПАВ при переходе в СВЧ диапазон, что невозможно без учета того, что металлическая пленка, из которой состоит электродная структура ВШП, имеет составную (двухслойную) структуру из нанометрового адгезионного металлического подслоя и основного слоя из металла с высокой проводимостью.

Таким образом, разработка методов расчета различных характеристик ВШП ПАВ в СВЧ диапазоне, учитывающих влияние адгезионного подслоя, является актуальной.

Целью диссертационной работы является исследование процессов распространения и преобразования ПАВ в структуре «пьезокристалл-двухслойная металлическая пленка» и анализ влияния адгезионного подслоя алюминиевых электродов на частотные и температурные характеристики СВЧ приборов на ПАВ.

Научная новизна:

  1. Впервые исследовано влияние адгезионного подслоя металлической пленки на поверхности пьезокристалла на скорость и структуру ПАВ в СВЧ диапазоне. Рассчитаны частотные зависимости скорости ПАВ в структуре «двухслойная металлическая пленка-пьезокристалл».
  2. Впервые предложен и исследован способ устранения отражения ПАВ от краев электродов за счет выравнивания скоростей ПАВ на свободной и металлизированной поверхностях с использованием упругих свойств адгезионного подслоя.
  3. Впервые показано, что адгезионный подслой оказывает существенное влияние на термостабильность устройств на ПАВ на частотах свыше 1 ГГц. Найдены углы срезов кристалла кварца, при которых достигается термостабилизация АЧХ ВШП с двухслойными электродами в диапазоне частот свыше 1 ГГц.
  4. На основе построеннного квазиполевого метода показано, что адгезионный подслой электродов ВШП влияет на потери преобразования в СВЧ диапазоне и может приводить как к их росту, так и к их снижению.

Достоверность полученных в диссертации результатов основана на строгой постановке и решении граничных задач пьезоакустики и подтверждается хорошим соответствием полученных в работе теоретических результатов с экспериментальными и некоторыми теоретическими результатами других авторов, а также адекватностью результатов в предельных случаях.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

  1. На частотах свыше 0.5 ГГц при расчетах скорости и структуры ПАВ на

металлизированной поверхности кристалла необходимо учитывать упругие свойства и толщину как слоя основного металла, так и нанометрового адгезионного подслоя.

  1. Существуют значения толщин слоев двухслойной металлической пленки на поверхности пьезокристалла, при которых коэффициент отражения ПАВ от края металлической пленки может быть равен нулю на определенной частоте.
  2. Термостабильность АЧХ ВШП ПАВ на частотах свыше 1 ГГц зависит от толщины и материала адгезионного подслоя электродов. Для различных частотных диапазонов и комбинаций материалов термостабильные углы среза различны.
  3. При расчетах АЧХ ВШП ПАВ на частотах свыше 1 ГГц необходимо учитывать слоистую структуру электродов. В зависимости от толщин и материалов металлических слоев электродной структуры вносимые потери с ростом частоты могут как увеличиваться, так и уменьшаться.

Практическая ценность работы:

Тема диссертации, ее цель и решаемые задачи сформулированы на основе существующих практических задач, решение которых является проблемой современной акустоэлектроники. Все полученные в работе результаты непосредственно применяются на практике в разработке устройств на ПАВ СВЧ диапазона.

Личный вклад автора

Автор участвовал в разработке алгоритмов и программ для расчета фазовых и энергетических характеристик ПАВ в слоистых структурах, расчетах амплитудно-частотных характеристик ВШП по квазиполевой модели. Постановка задач, выбор методов решения и обсуждение полученных результатов были проведены автором совместно с научным руководителем.

Апробация работы

Результаты диссертационной работы рассматривались и были представлены на 4-й Международной научно-технической конференции "Физика и технические приложения волновых процессов", Нижний Новгород, 10-15 ноября 2005; на школе-семинаре КоМУ-2005 “НАНОТЕХНОЛОГИИ И НАНОМАТЕРИАЛЫ” (г. Ижевск, 5-8 декабря 2005 г.); на Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения», Саратов, 20-21 сентября 2006; на 5-й Международной научно-технической конференции "Физика и технические приложения волновых процессов", Самара, 11-17 сентября 2006; на 2006 IEEE International Ultrasonics Symposium, Vancouver, Canada, October 3–6, 2006.

Публикации

По результатам исследований, выполненных при работе над диссертацией, опубликовано 7 работ, в том числе 1 статья в журнале из списка ВАК, 5 статей в трудах российских конференций с международным участием, 1 тезис доклада в книге ABSTRACT международного симпозиума по ультразвуку.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 109 страниц. Основной текст занимает 100 страниц, включая 38 рисунков. Список литературы содержит 76 наименований и изложен на 7 страницах.

Краткое содержание работы

Во введении обосновывается важность и актуальность повышения точности расчетов СВЧ устройств на ПАВ. Указывается на необходимость учета адгезионного подслоя электродов ВШП при расчетах характеристик устройств на ПАВ. Формулируется цель работы, заключающаяся в проведении теоретических исследований процессов распространения и преобразования ПАВ в структуре «пьезокристалл–двухслойная металлическая пленка» и анализе влияния адгезионного подслоя алюминиевых электродов на различные характеристики СВЧ приборов на ПАВ.

В этой части диссертационной работы формулируется научная новизна исследований, практическая значимость работы и обосновывается достоверность полученных результатов, приводятся положения, выносимые на защиту, и сведения об апробации работы.

В главе 1 на основе строгого решения краевой задачи для уравнений Максвелла и Кристоффеля с электрическими и механическими граничными условиями на трех поверхностях раздела в структуре «двухслойная металлическая пленка-кристалл» численно исследовано влияние толщины и упругих свойств двухслойного металлического покрытия на структуру и скорость ПАВ.

Относительная погрешность вычисления скоростей ПАВ на свободной поверхности пьезокристаллов, определяемая из сравнения с экспериментальными данными, составляет

10-5, что соответствует относительной погрешности справочных данных для акустических параметров кристаллов.

На рис. 1 приведены результаты расчета зависимостей скорости ПАВ от частоты на подложке ST- среза кварца для двухслойной пленки из алюминия с примесью меди толщиной 150 нм и различных толщинах подслоя хрома (а) и ванадия (б).

Рис. 1. Влияние адгезионного подслоя на дисперсию

скорости ПАВ

На приведенных зависимостях скорости ПАВ от частоты видно, что влияние адгезионного подслоя становится существенным на частотах свыше 0.5 ГГц.

В главе 2 проводится анализ существующих способов устранения отражений ПАВ и их недостатки, а также исследуется коэффициент отражения ПАВ от двухслойной структуры и приводятся результаты исследований.

Исследование влияния двухслойной структуры электродов на коэффициент отражения ПАВ от края электрода проводится на основе известной формулы [8]:

,

где V0 и Vm скорости ПАВ на свободной и на металлизированной поверхностях кристалла, а С1 и С2 – коэффициенты, определяемые экспериментально для каждого сочетания материалов, так, для кварца ST-среза и алюминия С1=0.00033, C2=0.0019 [9].

Из формулы для коэффициента отражения видно, что при некоторых значениях Vm и V0 коэффициент отражения может быть равен нулю. Для нахождения соответствующих такой ситуации сочетаний параметров двухслойной структуры были проведены расчеты частотных зависимостей коэффициента отражения ПАВ R от края двухслойного электрода из алюминия с примесью меди толщиной 150 нм и различных толщинах подслоя хрома (а) и ванадия (б).

а)

 б) Частотные зависимости коэффициента отражения ПАВ R от-4

б)

Рис.2. Частотные зависимости коэффициента отражения ПАВ R от края двухслойного

электрода из алюминия с примесью меди толщиной 150 нм и различных

толщинах подслоя хрома (а) ванадия (б)

Таким образом, методика достижения безотражательного распространения ПАВ через электродную структуру ВШП основывается на учете материала адгезионного подслоя и влияния вида и концентрации примеси в алюминии на изменение его модулей упругости, а также на выборе двух размерных параметров электродов ВШП: толщины слоя алюминия и адгезионного подслоя.

Результаты определения частот нулевого коэффициента отражения от вида материалов слоев и их толщин приведены в таблицах 2,3.

Таблица 2.

Толщина слоя Al, нм Толщина подслоя хрома, нм
20 30 40 50
100 2.05 1.25 0.92 0.75
150 2.41 1.32 0.95 0.76
200 2.6 1.55 1.02 0.77

Таблица 3.

Толщина слоя Al, нм Толщина подслоя ванадия, нм
20 30 40 50
100 1.9 - - -
150 2.5 1.22 - -
200 2.5 1.64 0.95 -

В главе 3 диссертации проводится анализ основных направлений поиска термостабильных материалов, приводятся результаты исследования влияния упругих свойств двухслойного металлического покрытия на поверхности кристалла кварца на термостабильность устройств на ПАВ в СВЧ диапазоне.

Для количественной оценки температурных изменений центральной частоты ВШП в широком интервале температур (более 100 градусов) используется параметр, называемый температурной расстройкой частоты (ТРЧ):

,

где с учетом зависимости от температуры скоростей ПАВ и линейных размеров

Т0 рабочая температура ВШП, относительно которой измеряется температурная расстройка частоты, 11 температурный коэффициент расширения кристалла в направлении распространения ПАВ (вдоль координатной оси х), расстояние между штырями ВШП (ширину зазора) g, ширина штыря b.

В данной работе исследовалось влияние двухслойной структуры металлических электродов на термостабильность частотных характеристик ВШП. Для разных толщин адгезионного подслоя были рассчитаны ТРЧ ВШП с двухслойными электродами для найденных ранее в работе [7] Y+480- и Y+50.50- срезов кристалла кварца для резонансных частот 1 ГГц и 2 ГГц соответственно (рис. 3). Оказалось, что найденные в работе [7] термостабильные срезы для частот 1 ГГц и 2 ГГц могут быть термостабильными только при одной определенной толщине адгезионного подслоя (например, на частоте 1 ГГц для хрома – 40 нм, а для ванадия – 50 нм (рис.3)).

 а) б) ТРЧ ВШП с алюминиевыми электродами (hAl=150 нм) на Y+480--7

а)

 б) ТРЧ ВШП с алюминиевыми электродами (hAl=150 нм) на Y+480- срезе-8

б)

Рис.3. ТРЧ ВШП с алюминиевыми электродами (hAl=150 нм)

на Y+480- срезе кристалла кварца (резонансная частота ВШП 1 ГГц)

для различных толщин подслоя хрома (а) и ванадия (б).

Из приведенных расчетов следует, что наличие адгезионного подслоя может существенно влиять на температурную стабильность ВШП ПАВ.

Вследствие того, что развиваясь, мобильная связь переходит на более высокие частоты, возникает потребность в проектировании и создании ПАВ-фильтров с частотой от 2 ГГц и выше. Поэтому поиск термостабильных срезов кварца на частотах свыше 2 ГГц имеет практическую ценность и в данной работе были определены термостабильные срезы кварца для частот 2.4 ГГц, 3 ГГц и 4.5 ГГц, приведенные в таблице 4.

Таблица 4. Термостабильные углы среза кристалла кварца для ВШП с двухслойными

электродами (h1 = 20 нм, h2 = 150 нм).

Материал адгезионного подслоя Частота, ГГц
2.4 3.0 4.5
Хром Y+480 Y+45.50 Y+39.70
Ванадий Y+53.10 Y+50.90 Y+430

Полученные результаты показывают, что при проектировании устройств на ПАВ, работающих в СВЧ диапазоне, необходимо принимать во внимание влияние адгезионного подслоя на ТРЧ и выбирать необходимые срезы с учетом используемых толщин и материалов слоев.

Достоверность представленных данных доказывается совпадением экспериментальной и расчетной ТРЧ для ST- среза кристалла кварца в пределе низких частот (50 МГц).

В главе 4 диссертации построена квазиполевая модель расчета преобразования ПАВ в ВШП с двухслойными электродами. На основе построенного метода исследуется влияние слоистой структуры электродов на АЧХ ВШП в диапазонах частот около 1 ГГц и около 2 ГГц.

Квазиполевой метод основан на строгом решении граничной задачи о ПАВ в трехслойной структуре «двухслойный металл-пьезокристалл», в которой точно рассчитывается распределение объемного заряда qs, связанного с ПАВ (рис.4). Построена более простая и физически непротиворечивая, по сравнению со схемой Мэзона, эквивалентная схема (рис.5), которую можно назвать «квазиполевой» в связи с использованием точного полевого расчета характеристик ПАВ.

Рис. 4. Модель взаимодействия ПАВ с ВШП и образования наведенного заряда на его электродах.

Распространяясь в пьезокристаллической подложке, ПАВ порождает волну связанного с ней объемного электрического заряда, в основном сосредоточенного вблизи поверхности. По своей структуре этот заряд представляет собой чередующиеся полосы положительного и отрицательного объемного заряда. Проходя под электродами n-ой секции, области объёмного заряда ПАВ наводят в электродах заряды противоположного знака. Заряд на n-ом электроде вычисляется по формуле

.

Очевидно, наведенный на электроде заряд меньше всего заряда ПАВ, находящегося под электродом (Н = ). Поэтому глубина интегрирования Н является феноменологическим параметром, который определяется из условия равенства расчетного и экспериментального уровня вносимых потерь. Это единственный феноменологический параметр теории. Как видно, формула для заряда на электроде содержит интегрирование по поверхности электрода, следовательно, форма и расположение электрода могут быть произвольными.

Изменение заряда электродов определяет ток в электродах:

.

и ток, протекающий в нагрузке IL:

,

где , .

Тогда легко определяются АЧХ и сопротивление излучения ВШП.

Для апробации построенного метода расчета было проведено сравнение рассчитанной данным методом и измеренной АЧХ фильтра на ПАВ на ST-срезе кварца, разработанного в ЗАО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон». Совпадение расчетной и экспериментальной АЧХ по вносимым потерям на центральной частоте достигалось при значении параметра Н=0.19S. При этом наблюдалось почти полное совпадение теоретической и экспериментальной АЧХ в полосе пропускания, а вне ее небольшие отличия (не более 1 дБ) связаны с прямым прохождением сигнала в экспериментальном фильтре.

Для исследования влияния слоистой структуры электродов на АЧХ ВШП использовался построенный квазиполевой метод расчета частотных характеристик ВШП ПАВ.

Для такого анализа рассматривался аподизованный по апертуре ВШП на кристалле кварца ST- среза, имеющий 120 штырей из алюминия толщиной 200 нм с учетом и без учета адгезионного подслоя.

Результаты расчетов такого ВШП в двух диапазонах частот, 1000 МГц и 2000 МГц, приведенные на рис. 6, показывают существенное влияние адгезионного подслоя на параметры АЧХ при повышении рабочего диапазона частот свыше 1000 МГц.

Так, в диапазоне 1000 МГц АЧХ, рассчитанные для однослойных и двухслойных электродов, практически совпадают, вносимые потери S(f0)= 10-12 дБ и уровень внеполосных осцилляций АЧХ составляет РЛ=39 дБ. При переходе в диапазон 2000 МГц расчет для однослойных электродов показывает существенное увеличение вносимых потерь (АЧХ №3), S(f0)= 30 дБ, а подавление внеполосных сигналов снижается до РЛ=33 дБ, к тому же АЧХ теряет симметричный вид. Однако расчет с учетом двухслойной структуры электродов ВШП на частоте 2000 МГц показывает значительные отличия. Так, вносимые потери снижаются до 5 и 7 дБ при использовании ванадия и хрома соответственно, а уровень внеполосных осцилляций АЧХ составляет РЛ=37 дБ.

 а) б) Влияние двухслойной структуры электродов на АЧХ ВШП на-15

а)

 б) Влияние двухслойной структуры электродов на АЧХ ВШП на частотах 1-16

б)

Рис. 6. Влияние двухслойной структуры электродов на АЧХ ВШП на частотах 1 ГГц (а);

2 ГГц (б): 1 - c подслоем ванадия (hV =20 нм), 2 - c подслоем хрома (hCr =20 нм),

3 - без учета подслоя (hAl =200 нм).

Практическое значение проведенного исследования состоит в том, что при проектировании устройств на ПАВ на частотах свыше 1 ГГц нужно учитывать двухслойную структуру электродов. Важным обнаруженным свойством двухслойных электродов является возможность значительного снижения вносимых потерь выбором толщины и материала адгезионного подслоя.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В результате проведенной работы цель, сформулированная в начале работы и определившая направление и методы исследования, достигнута.

Исследован процесс распространения и преобразования ПАВ в структуре «пьезокристалл–двухслойная металлическая пленка» и проведен анализ влияния адгезионного подслоя алюминиевых электродов на электрические характеристики СВЧ приборов на ПАВ.

Основываясь на достоверности используемых расчетов, были проведены исследования и получены новые результаты:

1. Показано, что учет адгезионного подслоя совершенно необходим при проектировании СВЧ устройств на ПАВ;

2. Были найдены условия, при которых коэффициент отражения ПАВ от двухслойной структуры электродов ВШП равен нулю;

3. Показано, что для различных частот и комбинаций материалов двухслойной структуры электродов ВШП существуют соответствующие термостабильные углы среза кварца. Были определены термостабильные срезы кварца с учетом адгезионного подслоя для частот 1, 2, 2.4, 3 и 4.5 ГГц;

4. Построен квазиполевой метод расчета частотных характеристик ВШП с двухслойными электродами, на основе которого исследовано влияния двухслойной структуры электродов на вносимые потери ВШП; показано, что адгезионный подслой электродов ВШП влияет на вносимые потери в СВЧ диапазоне и может приводить как к их росту, так и к их снижению.

Список цитированной литературы.

  1. Ingebrigsten K. Surface waves in piezoelectrics. – «J. Appl. Phys.», 1969, v. 40, № 7, p. 2681-2686.
  2. Smith R., Gerard H., Collins J. Analysis of interdigital surface wave transdusers by use of an equivalent circuit model. – «IEEE Trans. Microw. Th.», 1969, v. MTT-17, № 10, p. 856-864.
  3. Горышник Л.Л., Кондратьев С.Н. Возбуждение поверхностных электроакустических волн электродными преобразователями. – «Радиотехника и электроника», 1974, т. 19, № 8, с. 1719-1727.
  4. E.Henry-Briot, S.Ballandras, G. Marianneau, G.Martin. Influence of Metal Thickness on Phase Velocity and Thermal Sensitivity of SAW Devices//IEEE Trans. on UFFC, vol.48, No.2, March 2001, p.538-546.
  5. Makarov S., Chilla E., Frohlich H.J.//JAP. 1995. V.78. № 8. P. 5028.
  6. Сучков С.Г., Баринов Д.А. Анизотропия упругих свойств тонких металлических пленок и её влияние на характеристики устройств на ПАВ//«Радиотехника и электроника», 2002, №4, с. 510-512.
  7. Сучков С.Г. К вопросу о термостабильности устройств на поверхностных акустических волнах в СВЧ диапазоне // Радиотехника и электроника, т.51, 2006, №4, с. 504-508.
  8. Ю.В. Гуляев, В.П. Плесский. Распространение поверхностных акустических волн в периодических структурах // Успехи физических наук, 1989, том 157, вып.1, с.85-120.
  9. S. Datta, B.J. Hunsinger. An Analysis Energy Storage Effects on SAW Propagation in Periodic Arrays // IEEE Trans. on UFFC, vol.27, No.6, November 1980, p.333-341.

Список публикаций по теме диссертации.

А1. Сучков С.Г., Сучков Д.С., Чайковский Д.С. Квазиполевая эквивалентная схема встречно-штыревого преобразователя ПАВ//«Радиотехника и электроника», т. 52, 2007, №2, с. 239-242.

А2. Сучков С.Г., Чайковский Д.С. Влияние толщины и анизотропии упругих свойств электродов на термостабильность устройств на ПАВ. ФИЗИКА И ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ ВОЛНОВЫХ ПРОЦЕССОВ: Тезисы и доклады 4 Международной научно-технической конференции: Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы»/ под ред. В.А.Неганова, Г.П.Ярового.- Нижний Новгород, 2005, с. 235

А3. С.Г. Сучков, Д.С. Чайковский, К.В. Оболенский. Акустические исследования упругих свойств и плотности нанопленок алюминия. Сборник тезисов докладов. Школа-семинар КоМУ-2005 “НАНОТЕХНОЛОГИИ И НАНОМАТЕРИАЛЫ”. – Ижевск: ФТИ УрО РАН & УдГУ, 2005, с. 64.

А4. С.Г. Сучков, В.Б. Гаманюк, А.В. Селифонов, Д.С. Чайковский Исследование возможности создания активного полосового фильтра на ПАВ. Материалы Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-2006»/ под ред. В.А. Царева. – Саратов, 2006, с. 214-217.

А5. С.Г. Сучков, Д.С. Чайковский. Снижение отражений поверхностной акустической волны во встречно-штыревом преобразователе со слоистыми электродами. ФИЗИКА И ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ ВОЛНОВЫХ ПРОЦЕССОВ: Тезисы и доклады 5 Международной научно-технической конференции: Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы»/ под ред. В.А.Неганова, Г.П.Ярового.- Самара, 2006, с. 228.

А6. С.Г. Сучков, Д.С. Чайковский. Исследование влияния слоистой структуры электродов на термостабильность АЧХ встречно-штыревого преобразователя. ФИЗИКА И ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ ВОЛНОВЫХ ПРОЦЕССОВ: Тезисы и доклады 5 Международной научно-технической конференции: Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы»/ под ред. В.А.Неганова, Г.П.Ярового.- Самара, 2006, с. 229.

А7. Chaikovsky D.S., Souchkov S.G. The Influence of the Electrodes Elastic Anisotropy on the Saw Devices Thermostability. ABSTRACTS 2006 IEEE International Ultrasonics Symposium, October 3-6, 2006, Vancouver, Canada, p. 264 (P2N-6).

Чайковский Дмитрий Станиславович

ОСОБЕННОСТИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ И РАСПРОСТРАНЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН В СЛОИСТОЙ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЕ НА ПОВЕРХНОСТИ ПЬЕЗОКРИСТАЛЛОВ

Автореферат

Подписано в печать 2007 г. Печать офсетная. Бумага офсетная.

Формат 6084 1/16. Усл.-печ. л. 1,25. Тираж 100 экземпляров. Заказ.

Типография Саратовского государственного университета

410012, Саратов, Астраханская, 83



 




<
 
2013 www.disus.ru - «Бесплатная научная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.