Особенности взаимодействия электромагнитного излучения свч-диапазона со слоистыми структурами типа нанометровая металлическая плёнка–диэлектрик–полупроводник

На правах рукописи

БОГОЛЮБОВ АНТОН СЕРГЕЕВИЧ

ОСОБЕННОСТИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО
ИЗЛУЧЕНИЯ СВЧ-ДИАПАЗОНА СО СЛОИСТЫМИ СТРУКТУРАМИ ТИПА НАНОМЕТРОВАЯ МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЁНКА–ДИЭЛЕКТРИК–ПОЛУПРОВОДНИК

01.04.03 – радиофизика

05.27.01 – твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты,
микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени

кандидата физико-математических наук

Саратов – 2006

Работа выполнена на кафедре физики твердого тела

Саратовского государственного университета им. Н.Г. Чернышевского

Научные руководители: Заслуженный деятель науки РФ,
доктор физико-математических наук,

профессор Усанов Дмитрий Александрович

доктор физико-математических наук,
профессор
Скрипаль Александр Владимирович

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

старший научный сотрудник Явчуновский Виктор Яковлевич

доктор физико-математических наук,

профессор Роках Александр Григорьевич

Ведущая организация: ЗАО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон», г. Саратов.

Защита диссертации состоится 21 декабря 2006 г. в 1530 на заседании диссертационного совета Д.212.243.01 по специальностям 01.04.03 – радиофизика и 05.27.01 – Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах по адресу: 410012, г. Саратов, ул. Астраханская, 83.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке СГУ

Автореферат разослан 20 ноября 2006 г.

Ученый секретарь

диссертационного совета Аникин В. М

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы

Эффективность производства существующих и успешное создание новых приборов твердотельной микро- и наноэлектроники во многом зависит от уровня развития технологии изготовления слоёв различных материалов толщиной от нескольких нанометров до десятков микрометров. Достижение высокой степени совершенства слоистых структур и, в частности, структур на основе нанометровых металлических пленок, которое и определяет возможность их успешного применения в микро-, нано-, акусто-, СВЧ- и оптоэлектронике, невозможно без использования высокоточных методов измерений электрофизических параметров диэлектрических и полупроводниковых материалов и структур, металлических пленок.

При измерениях чаще всего применяются контактные методы, т. е. параметры полупроводниковых и диэлектрических материалов и металлических пленок измеряют на постоянном или низкочастотном токе. Измерения такими методами производятся при наличии контакта зонда с образцом. Зачастую это приводит к разрушению исследуемого материала.

Достоинством бесконтактных методов, к которым, помимо прочих, относятся СВЧ-методы, является возможность проводить измерения, не разрушая материал и не изменяя его свойства. Наиболее распространенными методами являются волноводные и резонаторные. При использовании волноводных методов рассматривается взаимодействие СВЧ-волны, распространяющейся в волноводе, с помещенным в него образцом, и измеряются интенсивность прошедшей и отраженной волн.

Преимуществом СВЧ-измерений является возможность проводить с помощью одной измерительной установки и на одном образце определение нескольких параметров, измерение которых контактными методами требует создания различных установок и использования нескольких однотипных образцов. Для определения толщины и электропроводности нанометровых металлических пленок в слоистых структурах можно использовать результаты измерений спектров отражения и прохождения взаимодействующего с ними сверхвысокочастотного излучения при условии, что известно их теоретическое описание. Нахождение электрофизических параметров слоистых структур по спектрам отражения и прохождения электромагнитной волны связано с необходимостью решать обратную задачу.

В настоящей работе исследовались особенности взаимодействия электромагнитного излучения сверхвысокочастного диапазона со слоистыми структурами на основе тонких нанометровых металлических пленок, диэлектрических и полупроводниковых материалов в волноведущей системе, устанавливалась возможность расширения диапазона и повышения достоверности измерений параметров слоистых структур на основе тонких нанометровых металлических пленок, диэлектрических и полупроводниковых материалов по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего с ними излучения сверхвысокочастного диапазона и повышения чувствительности СВЧ-методов измерения. При этом высокая точность измерений достигалась лишь при условии, что известно теоретическое описание спектров отражения и прохождения, хорошо согласующееся с экспериментом, и эти спектры характеризуются высокой чувствительностью к изменению величин искомых параметров измеряемых структур.

Цель диссертационной работы: исследование особенностей взаимодействия электромагнитного излучения сверхвысокочастного диапазона со слоистыми структурами на основе тонких нанометровых металлических пленок, диэлектрических и полупроводниковых материалов в волноведущей системе и проведение на этой основе экспериментального и теоретического обоснования возможности измерений параметров исследуемых слоистых структур в широком диапазоне их изменения.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

• разработка модели, которая позволяет описать взаимодействие электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с многослойными структурами на основе тонких металлических пленок, диэлектрических и полупроводниковых слоев в волноведущей системе;
• разработка метода решения обратной задачи: определения параметров металлических и полупроводниковых слоев в многослойных структурах по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего с ними электромагнитного излучения;
• экспериментальная реализация методов измерения электропроводности, толщины и диэлектрической проницаемости слоев в структурах металл-полупроводник-диэлектрик в широком диапазоне их изменения по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего с ними электромагнитного излучения.

Научная новизна исследований, проведенных в ходе диссертационной работы, состоит в следующем:

• разработаны теоретические основы измерения параметров слоистых структур металл-полупроводник-диэлектрик в широком диапазоне изменения их параметров по спектрам отражения и прохождения, взаимодействующего с ними сверхвысокочастотного излучения;
• установлено изменение типа резонанса при отражении электромагнитного излучения, взаимодействующего со слоистой структурой, содержащей металлическую пленку, с ростом толщины пленки, от полуволнового, при котором на длине структуры укладывается целое число полуволн, к четвертьволновому резонансу, при котором на длине структуры укладывается нечетное число четвертей длин волн;
• экспериментально реализованы методы измерения толщины, электропроводности и диэлектрической проницаемости слоев в слоистых структурах металл-полупроводник-диэлектрик по спектрам отражения и прохождения, взаимодействующего с ними электромагнитного излучения.

Практическая значимость работы

• предложена и реализована методика компьютерного моделирования спектров отражения и прохождения в СВЧ-диапазоне слоистых структур, содержащих тонкие металлические пленки;
• разработаны новые способы измерения параметров слоистых структур на основе металло-полупроводниковых слоев по спектрам отражения и прохождения СВЧ-излучения в широком диапазоне их изменения;
• разработана программная и аппаратная реализация методов измерения толщины, электропроводности и диэлектрической проницаемости слоев в слоистых структурах металл-полупроводник-диэлектрик по спектрам отражения и прохождения, взаимодействующего с ними электромагнитного излучения.

Достоверность результатов диссертации обеспечивается качественным и количественным соответствием выводов теории основным результатам, полученным экспериментально, строгостью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, сходимостью вычислительных процессов к искомым решениям, выполнимостью предельных переходов к известным решениям. Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением стандартной измерительной аппаратуры, обработкой экспериментальных данных с использованием стандартных методов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. По измеренным частотным зависимостям коэффициента отражения электромагнитного излучения от слоистой структуры диэлектрик-металл-полупроводник и с использованием точного решения задачи о распространении электромагнитной волны в волноведущей системе, полностью заполненной слоистой структурой, при известных параметрах диэлектрика возможно определение толщины нанометрового металлического слоя и электропроводности полупроводниковой подложки.
2. С ростом величины диэлектрической проницаемости диэлектрического слоя в структуре диэлектрик-металл-полупроводник возможно наблюдать увеличение диапазона изменения толщины и электропроводности нанометрового металлического слоя, в котором коэффициент отражения электромагнитной волны СВЧ-диапазона не достигает предельного (не изменяющегося с увеличением толщины) значения.
3. С ростом толщины металлической пленки в слоистой структуре диэлектрик-металл-полупроводник изменяется тип резонанса при отражении электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, взаимодействующего со слоистой структурой, от полуволнового, при котором на длине структуры укладывается целое число полуволн, к четвертьволновому резонансу, при котором на длине структуры укладывается нечетное число четвертей длин волн.
4. Добротность резонатора, образованного структурой диэлектрик-металл-полупроводник, в СВЧ-диапазоне немонотонным образом зависит от толщины и электропроводности нанометрового металлического слоя.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы доложены на:

1. 14-ой, 15-ой и 16-ой международных Крымских конференциях "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо'2004, 2005, 2006). Севастополь, 2004 г., 2005 г. и 2006 г.;
2. 9-ой международной научно технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники»,– Дивноморское, Россия, 12-17 сентября 2004;
3. втором Евразийском конгрессе по медицинской физике и инженерии "Медицинская физика – 2005", Москва, 21-24 июня 2005 г;
4. 35th European Microwave Conference (EuMC) Paris, France, from 4 to 6 October 2005г.;
5. 5-ой Международной научно-технической конференции. Электроника и информатика–2005, Зеленоград, 23–25 ноября 2005 г;
6. 36rd European Microwave Conference. Manchester, UK. 10–15th September 2006
7. XVI International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications MIKON-2006, Poland, Krakow, May 22–24, 2006.

Публикации

По материалам исследований, выполненных при работе над диссертацией, опубликовано 16 работ [1-16], в том числе 3 статьи в центральных научно-технических журналах [1-3], 13 статей в сборниках материалов конференций [4-16].

Личный вклад автора выразился в участии в проведении всего объема экспериментальных работ, в создании теоретических моделей, описывающих результаты экспериментов, проведении компьютерного моделирования и анализе полученных результатов.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения и списка литературы. Работа изложена на 118 страницах, содержит 41 рисунок и список литературы из 148 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность выбранной темы диссертации, сформулирована цель работы, приведены основные положения, выносимые на защиту, описаны структура и объем работы.

В первом разделе диссертации проведен критический анализ современных исследований характеристик структур типа диэлектрик-нанометровая металлическая пленка-полупроводник на сверхвысоких частотах.

Во втором разделе представлены теоретические основы метода измерения характеристик слоистых структур диэлектрик-металл-полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения, разработана теоретическая модель, позволяющая рассчитывать коэффициенты отражения и прохождения СВЧ-излучения для таких структур, содержащих тонкие нанометровые металлические слои,

Показана возможность определения толщины нанометрового металлического слоя и электропроводности полупроводниковой подложки по измеренным частотным зависимостям коэффициента отражения электромагнитного излучения от слоистой структуры диэлектрик-металл-полупроводник и с использованием точного решения задачи о распространении электромагнитной волны в волноведущей системе, полностью заполненной слоистой структурой, при известных параметрах диэлектрика.

Для расчета коэффициентов отражения и прохождения электромагнитной волны при её нормальном падении на многослойную структуру (рис. 1) использовалась матрица передачи волны между областями с различными значениями постоянной распространения электромагнитной волны и :

,

которая связывает коэффициенты , и , , определяющие амплитуды падающих и отраженных волн по обе стороны от границы , соотношением:

.

Коэффициенты и , определяющие амплитуды волны, прошедшей через многослойную структуру (рис. 1), и волны, отраженной от нее, связаны с коэффициентом , определяющим амплитуду падающей волны, следующим соотношением:

, (1)

где

(2)

матрица передачи слоистой структуры, состоящей из слоев (рис. 1).

Рис. 1. Слоистая структура, состоящая из слоев

Для расчета постоянных распространения электромагнитной волны соответственно в пустом волноводе, волноводе, заполненном диэлектриком, металлической пленкой и полупроводником, использовались следующие выражения:

, , ,

где – комплексная диэлектрическая проницаемость полупроводникового слоя и тонкой металлической пленки, , – действительная и мнимая часть комплексной диэлектрической проницаемости полупроводникового слоя и тонкой металлической пленки, и – диэлектрическая и магнитная проницаемости вакуума, и относительная диэлектрическая и магнитная проницаемость решетки полупроводниковой подложки и металлического слоя соответственно, – электропроводность полупроводниковой подложки и металлического слоя, , – эффективная масса и концентрация электронов в полупроводниковой подложке и металлическом слое,  – относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрического слоя.

Коэффициенты отражения и прохождения электромагнитной волны, взаимодействующей со слоистой структурой, определяются через элементы матрицы передачи с помощью соотношений:

, . (3)

Полученные соотношения могут быть использованы для нахождения значений коэффициентов отражения и прохождения при взаимодействии электромагнитной волны с тонкими металлическими пленками, слоями диэлектрика и полупроводника.

Для увеличения диапазона изменения и с изменением толщины и электропроводности нанометровой металлической пленки в выбранном диапазоне частот (8–12 ГГц) перед исследуемой структурой размещался слой диэлектрика (рис. 2, а).

а

б в

Рис. 2. Расположение измеряемой структуры

Использование рассчитанных , частотных зависимостей коэффициентов отражения электромагнитной волны, падающей со стороны диэлектрического слоя, при различных комбинациях слоев в измеряемой структуре (рис. 2, б и 2, в) позволяет построить функцию невязок, являющуюся функцией двух переменных толщины металлического слоя и электропроводности подложки :

,(4)

представляющую собой поверхность в пространстве координат . Здесь и – измеряемые в экспериментах величины коэффициентов отражения электромагнитной волны при различных комбинациях слоев в измеряемой структуре.

Определение толщины металлической пленки и электропроводности подложки по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения, при использовании метода наименьших квадратов для обработки экспериментальных данных, для этого случая основано на решении системы уравнений

и (5).

Решением системы уравнений (5) для функции двух переменных является искомая толщина металлической пленки и электропроводность подложки .

В третьем разделе приведены результаты компьютерного моделирования взаимодействия электромагнитного излучения с многослойными структурами, содержащими полупроводниковые, диэлектрические и нанометровые металлические слои, описаны особенности резонансного отражения СВЧ-излучения, характерные для различной толщины нанометровых металлических слоев.

Характерной особенностью отражения электромагнитной волны от трехслойной структуры (рис. 2, а) при отсутствии металлического слоя или при малой (менее 50 нм) его толщине является возможность реализации, так называемого, полуволнового резонанса, при котором на длине структуры укладывается целое число полуволн (сплошные кривые 1–4 на рис. 3). При толщинах металлического слоя более 100 нм реализуются фазовые условия для возникновения, так называемого, четвертьволнового резонанса, при котором на длине структуры укладывается нечетное число величины (штриховые кривые 5, 6, 7 и 8 на рис. 3). Здесь – длина волны зондирующего излучения в структуре на частоте резонанса. Однако для реализации ярко выраженного четвертьволнового резонанса необходимо, чтобы амплитуды электромагнитных волн, отраженных от границ воздух–диэлектрик и диэлектрик–металл, были сравнимы. Это может быть достигнуто при использовании в качестве диэлектрического слоя, помещаемого перед структурой металл-полупроводник, диэлектрика с большой диэлектрической проницаемостью.

Рис. 3. Расчетные зависимости квадратов модулей коэффициентов отражения электромагнитной волны от трехслойной структуры от частоты при различных значениях толщины и электропроводности металлического слоя:

1–=0, =0; 2–=12 нм, =2.5·105 Ом-1м-1; 3–=24 нм, =3.2·105 Ом-1м-1; 4–=33 нм, =5.7·105 Ом-1м-1; 5–=41 нм, =1.2·106 Ом-1м-1; 6–=70 нм, =2.2·106 Ом-1м-1; 7–=150 нм, =2.2·106 Ом-1м-1; 8–=650 нм, =2.2·106 Ом-1м-1

При выборе частоты зондирующего излучения либо в области полуволнового, либо четвертьволнового резонанса оказывается возможным изменять диапазон толщин металлического слоя, в котором наблюдается резкое изменение величины коэффициента отражения электромагнитного излучения от трехслойной структуры. В области полуволнового резонанса коэффициент отражения приближается к насыщению при толщине металлического (хром) слоя, большей 50 нм, в то время как в области четвертьволнового резонанса коэффициент отражения приближается к насыщению лишь при толщине металлического (хром) слоя, большей 3000 нм.

Из результатов расчетов следует, что величина добротности резонатора образованного структурой диэлектрик–металл–полупроводник в СВЧ-диапазоне немонотонным образом зависит от толщины и электропроводности нанометрового металлического слоя.

Показана возможность решения обратной задачи по определению толщины и электропроводности нанометровых металлических пленок и полупроводниковых слоев в многослойных структурах в широком диапазоне их значений по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения.

Анализ выражения (4) показывает, что функция невязок , являющаяся функцией двух переменных: толщины металлического слоя и электропроводности подложки , представляет собой поверхность в пространстве координат (рис. 4, а) и обладает на плоскости явно выраженным глобальным минимумом (рис. 4, б).

Из результатов расчетов следует, что величина добротности резонатора образованного структурой диэлектрик-металл-полупроводник в СВЧ-диапазоне немонотонным образом зависит от толщины и электропроводности нанометрового металлического слоя.

Показана возможность решения обратной задачи по определению толщины и электропроводности нанометровых металлических пленок и полупроводниковых слоев в многослойных структурах в широком диапазоне их значений по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения.

а б

Рис. 4. Функция невязок в пространстве координат и контурная карта вблизи глобального минимума

В четвертом разделе приведены результаты экспериментальных исследований особенностей взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ диапазона (8–12 ГГц) с многослойными структурами, содержащими нанометровые металлические слои. Экспериментально подтверждена возможность изменения типа резонансного отражения, характерной особенностью которого является возможность реализации, так называемого, полуволнового резонанса при малых толщинах нанометровых металлических слоев и четвертьволнового резонанса при больших толщинах металлических слоев.

Экспериментально реализованы методы определения параметров многослойных структур, содержащих нанометровые металлические слои (хром, алюминий, титан, ванадий, нихром) толщиной от 2 до 1000 нм, частично пропускающих СВЧ-излучение, по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего электромагнитного излучения СВЧ-диапазона.

В ходе экспериментальных исследований в диапазоне частот
8–12 ГГц был измерен спектр отражения электромагнитной волны, взаимодействующей с изображенной на рис. 2, а структурой.

Экспериментально измерялись параметры пленок хрома на керамических (Al2O3), стеклянных и полупроводниковых (Si) подложках. В качестве диэлектрического слоя, помещаемого перед измеряемой пластиной, использовалась керамическая пластина с =100 и толщиной 3 мм.

На рис. 5 представлены измеренные по описанной выше методике зависимости (дискретные кривые) квадратов модулей коэффициента отражения электромагнитной волны от исследуемой структуры (пленки хрома различной толщины на керамической Al2O3 подложке) от частоты зондирующего сигнала.

Рис. 5. Экспериментальные (дискретные кривые) и расчетные (непрерывные кривые) зависимости квадратов модулей коэффициентов отражения электромагнитной волны от трехслойной структуры при различных толщинах , нм и электропроводности , Ом-1м-1 металлического (хром) слоя:

1–=0, =0;

2–=11.9 нм, =1.1·105 Ом-1м-1; 3–=18.17 нм, =1.458·105 Ом-1м-1;

4–=20.87 нм, =3.033·105 Ом-1м-1; 5–=76.22 нм, =1.134·106 Ом-1м-1;

6–=144.68 нм, =1.22·106 Ом-1м-1; 7–=400 нм, =2.18·106 Ом-1м-1.

Кривые (1–6)–подложка поликор. Кривая 7–подложка кремний.

Измеренная частотная зависимость квадрата модуля коэффициента отражения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона была использована для определения электропроводности металлической пленки (хром) на подложке (поликор) из решения следующего уравнения:

. (6)

Толщины металлических пленок на подложках были определены с использованием интерференционного метода по величине фазового сдвига , возникающего между электромагнитными волнами оптического диапазона, отраженными от полупроводниковой подложки и металлической пленки, из решения уравнения:

, (7)

с учетом изменения фазы волны при отражении от структуры металлическая пленка–полупроводниковая подложка и изменением фазы волны при отражении от полупроводниковой подложки, вследствие конечной величины поглощения оптического излучения металлической пленкой и подложкой.

На рис. 5 представлены зависимости (непрерывные кривые), рассчитанные при значениях толщины и электропроводности , определяемые из решения уравнений (6) и (7).

В эксперименте также измерялись структуры металл-полупроводник, представляющие собой титановые и ванадиевые плёнки, нанесенные на кремниевые подложки толщиной 480 мкм. В результате решения обратной задачи по измеренным спектрам отражения в диапазоне частот 8–12 ГГц с использованием системы уравнений (5) и функции невязок в виде (4) были определены параметры исследуемых структур: толщины металлических пленок и электропроводность кремниевых подложек.

В заключении приведены основные результаты и сформулированы выводы диссертационной работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ

1. Предложены типы многослойных структур, содержащих тонкие нанометровые металлические слои и характер их расположения в волноводе, при которых возможно построение теоретической модели, позволяющей строго рассчитывать спектральные зависимости коэффициентов отражения и прохождения СВЧ-излучения.
2. Показано, что использование структур металл-полупроводник в сочетании с диэлектрическими слоями позволяет расширить диапазон толщин металлического слоя, в котором наблюдается резкое изменение величин коэффициентов отражения и прохождения взаимодействующего с ними электромагнитного излучения в выбранном диапазоне частот 8–12 ГГц.
3. На основе компьютерного моделирования взаимодействия электромагнитного излучения с многослойными структурами, содержащими полупроводниковые, диэлектрические и нанометровые металлические слои, описано возникновение резонансного отражения СВЧ-излучения, характеристики которого существенным образом зависят от толщины нанометровых металлических слоев.
4. Показана возможность решения обратной задачи по определению толщины и электропроводности нанометровых металлических пленок и полупроводниковых слоев в многослойных структурах в широком диапазоне их значений по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения.
5. Теоретически предсказано и экспериментально обнаружено явление изменения типа резонансного отражения от структур диэлектрик-металл-полупроводник, с увеличением толщины металлических слоев в интервале нанометровых значений от полуволнового резонанса, при котором на длине структуры укладывается целое число полуволн к четвертьволновому резонансу, при котором на длине структуры укладывается нечетное число четвертей длин волн.
6. Показано, что добротность резонатора, образованного структурой диэлектрик-металл-полупроводник, в СВЧ-диапазоне немонотонным образом зависит от толщины и электропроводности нанометрового металлического слоя.
7. Экспериментально реализованы методы определения параметров (диэлектрической проницаемости и электропроводности полупроводниковых слоев, толщины и электропроводности нанометровых металлических слоев) многослойных структур, содержащих нанометровые металлические слои по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего электромагнитного излучения СВЧ-диапазона.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ ИЗЛОЖЕНЫ

В СЛЕДУЮЩИХ ПУБЛИКАЦИЯХ:

1. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл–полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения// ЖТФ. 2006. Т. 76, вып. 5, вып. 112–117.
2. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Постельга А. Э. Радиоволновая интерферометрия движений тела человека, связанных с дыханием и сердцебиением // Биомедицинские технологии и радиоэлектроника. 2005. №11–12. С. 44–51.
3. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Резонансное отражение электромагнитного излучения от структур с нанометровыми металлическими слоями // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2006, Том 9, № 3, с. 59-63.
4. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. СВЧ-метод измерения металлических плёнок на полупроводниковых подложках // Материалы 14-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» КрыМиКо-2004. Украина, Севастополь, 13–17 сентября 2004 г.
   С. 686–687.
5. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Микроволновые измерения толщин металлических пленок на полупроводниковых подложках // Труды девятой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». Дивноморское, Россия, 12–17 сентября 2004 г. Таганрог: Изд-во ТРТУ. Часть 2. С. 100–103.
6. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Постельга А.Э. Система дистанционного контроля сердечных сокращений и дыхательных движений грудной клетки пациента // Материалы II Евразийского конгресса по медицинской физике и инженерии "Медицинская физика – 2005", Москва,
   21-24 июня 2005 г. С.375-376.
7. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Боголюбов А. С. СВЧ-измерения нанометровых металлических пленок на полупроводниковых подложках // 15-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2005). Севастополь, 12-16 сент. 2005 г.: Материалы конференции. Севастополь: «Вебер», 2005. С. 605–606.
8. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Постельга А. Э. Радиоволновая интерферометрия смещений грудной клетки человека, связанных с дыханием и сердцебиением // 15-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2005). Севастополь, 12-16 сент. 2005 г.: Материалы конференции. Севастополь: «Вебер», 2005. С. 900–901.
9. A.V. Abramov, D.A. Usanov, A.V. Skripal, A.S. Bogolyubov. Microwave measurements of thickness and conductivity of nanometer metal-semiconductor structures // Proc. of 35rd European Microwave Conference. Paris, France. 4–6th October 2005. Vol. 1.
   P. 509–512.
10. A.V. Abramov, A.S. Bogolyubov, A.E. Postelga, D.A. Usanov, Al.V. Skripal, An.V. Skripal. Radiowave Interferometry of Human Respiratory Movements and Heartbeats // Proc. of 35rd European Microwave Conference. Paris, France. 4–6th October 2005. Vol. 2. P. 1047–1050.
11. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Измерения нанометровых металлических пленок на полупроводниковых подложках по спектрам отражения электромагнитного излучения // Материалы конференции. Электроника и информатика–2005. V Международная научно-техническая конференция. Зеленоград, 23–25 ноября 2005 г., Москва, МИЭТ, 2005. Часть 1. С. 158–159.
12. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Постельга А. Э. Радиоволновый контроль смещений грудной клетки человека, связанных с дыханием и сердцебиением // Материалы конференции. Электроника и информатика–2005. V Международная научно-техническая конференция. Зеленоград, 23–25 ноября 2005 г., Москва, МИЭТ, 2005. Часть 2. С. 177–178.
13. D.A. Usanov, Al.V. Skripal, A.V. Abramov, A.S. Bogolyubov, N.V. Kalinina. Measurements of thickness of metal films in sandwich structures by the microwave reflection spectrum // Proc. of 36rd European Microwave Conference. Manchester, UK. 10–15th September 2006. 509–512.
14. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. СВЧ-метод измерения электропроводности металлических пленок нанометровой толщины в многослойных структурах // 15-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2005). Севастополь,
    12-16 сент. 2005 г.: Материалы конференции в 2 т. – Севастополь: Вебер, 2006, с. 773-774.
15. D.A. Usanov, Al.V. Skripal, A.V. Abramov, A.S. Bogolyubov, A.E. Postelga. Radiowave monitoring of human respiratory movements and heartbeats // Proc. of XVI International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications MIKON-2006, Poland, Krakow, May 22–24, 2006. Vol. 2. P. 667–770.
16. D.A. Usanov, Al.V. Skripal, A.V. Abramov, A.S. Bogolyubov. microwave measurements of thickness of nanometer metal layers and conductivity of semiconductor in structures "metal-semiconductor" // Proc. of XVI International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications MIKON-2006, Poland, Krakow, May 22–24, 2006. Vol. 3. P. 874–877.

Подписано в печать. Формат 60х84 1/16.

Бумага офсетная. Гарнитура Times. Печать офсетная.

Усл. – печ. л. 1.0

Тираж 100 экз. Заказ № ____.

Типография Издательства Саратовского университета.

410012, Саратов, Астраханская, 83.